Спосіб виготовлення інтегральної схеми нвч

 

Винахід відноситься до електронної техніці НВЧ, а саме до способів виготовлення інтегральних схем НВЧ широкого застосування, в тому числі в радіолокаційних станціях з фазированими антенними решітками (ФАР).

Основними характеристиками інтегральної схеми НВЧ і особливо в останньому випадку її застосування є вихідна потужність, коефіцієнт підсилення, коефіцієнт корисної дії (ККД), надійність, відтворюваність, масогабаритні характеристики і трудомісткість виготовлення.

Відомий спосіб виготовлення інтегральної схеми НВЧ, в якому в якості робочої підкладки використовують діелектричний матеріал, що відрізняється низьким значенням діелектричної постійної і тангенса кута діелектричних втрат (кварц, полікор, сапфір та інші), який полягає у формуванні на підкладці за допомогою методів тонкоплівкової технології елементів ліній передачі, узгодження елементів, пасивних елементів і контактних майданчиків, поділі підкладки на окремі чіпи, кожен з яких містить пасивну частину інтегральної схеми. І наступний монтаж в заздалегідь передбачених місцях пасивної частини інтегральної схеми кристалів активних елементів [1].

Недоліками цього ссталлов активних елементів із-за низького коефіцієнта теплопровідності зазначених вище діелектричних матеріалів, що не дозволяє значно знизити тепловий опір і, як наслідок, - обмеження можливості створення потужних інтегральних схем НВЧ (потужних високоефективних підсилювачів НВЧ, потужних перемикачів СВЧ, потужних захисних пристроїв НВЧ і т. д.),

по-друге, погіршення електричних характеристик НВЧ, особливо в міліметровому діапазоні довжин хвиль, і низька відтворюваність, обумовлена неідентичністю розташування при монтажі кристалів активних елементів в пасивну частина інтегральної схеми,

по-третє, висока трудомісткість виготовлення, обумовлена високою трудомісткістю згаданої вище операції монтажу кристалів активних елементів.

Відомий спосіб виготовлення інтегральної схеми НВЧ сантиметрового та міліметрового діапазонів довжин хвиль, що полягає у формуванні активних і пасивних елементів, елементів ліній передачі, узгодження елементів методами тонкоплівкової технології.

В якому з метою виключення частково зазначених вище недоліків, в якості робочої підкладки використовують полуизолирующую підкладку з арсеніду галію (GaAs) з вирощеними на ній шарами заданої робочої структури методом епітаксії [2].

При цьому пасивні елементи, еле�. Після чого пластину поділяють на окремі чіпи, кожен з яких представляє собою монолітну інтегральну схему СВЧ.

Цей спосіб дозволив підвищити відтворюваність електричних характеристик і знизити трудомісткість виготовлення, завдяки винятку операції монтажу кристалів активних елементів.

Недолік цього способу полягає в практичній неможливості забезпечити ефективний відвід тепла від активних елементів із-за низького коефіцієнта теплопровідності матеріалу робочої підкладки арсеніду галію, що не дозволяє відповідно зменшити теплове опір інтегральної схеми НВЧ, і як наслідок - не можливість створення потужних інтегральних схем НВЧ (потужних і високоефективних підсилювачів НВЧ, потужних перемикачів СВЧ, потужних захисних пристроїв НВЧ і т. д.).

Відомий спосіб виготовлення інтегральної схеми НВЧ, що полягає у формуванні на діелектричній підкладці елементів ліній передачі, узгодження елементів, пасивних елементів і висновків методами тонкоплівкової технології, поділ основи на окремі чіпи, кожен з яких містить пасивну частину інтегральної схеми, монтаж в заздалегідь передбачених її місцях навісних кр�сті, зниження масогабаритних характеристик, інтегральну схему СВЧ виготовляють на діелектричній підкладці з алмазу, товщиною, що дорівнює 100-200 мкм, на яку наносять металлизационное покриття у вигляді суцільного шару на зворотній і торцевих сторонах і локального шару на лицьовій стороні згаданої діелектричної підкладки однакової товщини, рівної кожен 3-7 глибин скін-шару, а заземлення інтегральної схеми здійснюють за допомогою згаданого металлизационного покриття [3] - прототип.

Цей спосіб дозволив значно поліпшити електричні характеристики і перш за все, підвищити вихідну потужність інтегральної схеми НВЧ (більше 1 Вт).

Однак можливості цього способу виготовлення з точки зору отримання більш потужних інтегральних схем НВЧ (потужних підсилювачів потужності СВЧ, потужних перемикачів СВЧ, потужних захисних пристроїв НВЧ і т. д.) з вихідною потужністю, наприклад, більше 5 Вт вельми обмежені.

Технічним результатом заявленого способу виготовлення інтегральної схеми НВЧ є поліпшення електричних характеристик і насамперед вихідний потужності, коефіцієнта посилення і коефіцієнта корисної дії, при одночасному підвищенні надійності і воспроизводи�ський результат досягається заявленим способом виготовлення інтегральної схеми НВЧ, включає виготовлення діелектричної підкладки з алмазу товщиною 100-200 мкм, нанесення на неї металлизационного покриття, формування активних і пасивних елементів, елементів ліній передачі, висновків, елементів заземлення.

В якому

попередньо виготовляють шар кристалічного полуизолирующего кремнію товщиною 350-500 мкм і передбачає обробку його поверхні з лицьового боку з шорсткістю не нижче 14 класу,

а діелектричну підкладку з алмазу виготовляють на лицьовій стороні шару кристалічного полуизолирующего кремнію методом хімічного осадження з газової фази (CVD) у збудженої плазмі,

далі шар кристалічного полуизолирующего кремнію із зворотного боку утоняют у два етапи на першому - до товщини 40-50 мкм допомогою механічного шліфування, на другому - до товщини 5-10 мкм за допомогою хіміко-динамічного полірування,

а активні і пасивні елементи, елементи ліній передачі та висновки формують на звороті шару кристалічного полуизолирующего кремнію в єдиному технологічному циклі за допомогою методів тонкоплівкової технології,

в діелектричній підкладці з алмазу і шарі кристалічного полуизолирующего кремені�їй заземлення інтегральної схеми НВЧ,

а далі наносять металлизационное покриття на діелектричну підкладку з алмазу і одночасно на стінки згаданих наскрізних отворів.

Нанесення металлизационного покриття на зворотному боці діелектричної підкладки з алмазу здійснюють за допомогою методу вакуумного нанесення прямої послідовності системи шарів добре проводять металів нікель-золото з адгезійним підшаром і подальшого осадження шару золота гальванічним методом, при цьому загальною товщиною 3 мкм.

При формуванні активних і пасивних елементів, елементів ліній передачі та висновків тип задається типом пристрою інтегральної схеми НВЧ.

Розкриття сутності винаходу.

Сукупність суттєвих ознак заявленого способу виготовлення інтегральної схеми НВЧ, а саме коли:

попередньо виготовляють шар кристалічного полуизолирующего кремнію товщиною 350-500 мкм і передбачає обробку його поверхні з лицьового боку з шорсткістю не нижче 14 класу,

діелектричну підкладку з алмазу виготовляють на лицьовій стороні шару кристалічного полуизолирующего кремнію методом хімічного осадження з газової фази (CVD) у збудженої плазмі,

так�іни 40-50 мкм допомогою механічного шліфування, на другому - до товщини 5-10 мкм за допомогою хіміко-динамічного полірування,

активні і пасивні елементи, елементи ліній передачі та висновки формують на звороті шару кристалічного полуизолирующего кремнію в єдиному технологічному циклі за допомогою методів тонкоплівкової технології,

в діелектричній підкладці з алмазу і шарі кристалічного полуизолирующего кремнію з боку діелектричної підкладки з алмазу виготовляють наскрізні отвори з топологією, що забезпечує заземлення,

а далі наносять металлизационное покриття на діелектричну підкладку з алмазу і одночасно на стінки згаданих наскрізних отворів.

Це забезпечить (дозволить):

По-перше, в силу ідентичності (однаковості) кристалічних решіток кремнію і алмазу (кристалічна решітка кремнію - тетраэдрическая або решітка типу алмаза), виростити шар алмазу на шарі кристалічного полуизолирующего кремнію з високими механічними та електрофізичними характеристиками і тим самим забезпечити можливість виготовлення монолітної конструкції діелектричної підкладки з алмазу та активного шару інтегральної схеми НВЧ (кристалічного шару полуизолирующего кремнію), і т�забезпечити ти, а саме:

а) діелектрична підкладка з алмазу, володіючи високою теплопровідністю забезпечить ефективний відвід тепла від елементів інтегральної схеми НВЧ і в першу чергу від активних елементів і тим самим значне зниження теплового опору і одночасно зниження температури активного елемента і, як наслідок,

- підвищення питомої вихідної потужності і відповідно вихідний потужності інтегральної схеми НВЧ в цілому,

- підвищення надійності, в тому числі довговічності інтегральної схеми НВЧ;

б) шар кристалічного полуизолирующего кремнію забезпечить можливість виготовлення на ньому активних елементів (нітрид галієвих або кремнієвих польових транзисторів або діодів), пасивних елементів, елементів ліній передачі та висновків в єдиному технологічному циклі за допомогою методів тонкоплівкової технології і, як наслідок, - підвищення відтворюваності, зниження трудомісткості виготовлення, зменшення масогабаритних характеристик.

в) в силу монолітності конструкції діелектричної підкладки з алмазу і кристалічного шару полуизолирующего кремнію забезпечити можливість утонения активного шару - шару кристалічного полуизолирующего кремнію д�водночас значне зниження температури активних елементів і, як наслідок - значне підвищення вихідної потужності, коефіцієнта посилення і ККД інтегральних схем НВЧ.

Виготовлення в діелектричній підкладці з алмазу і шарі кристалічного полуизолирующего кремнію з боку діелектричної підкладки з алмазу наскрізних отворів з топологією, що забезпечує заданий заземлення елементів інтегральної схеми НВЧ в сукупності з нанесенням металлизационного покриття на діелектричну підкладку з алмазу і одночасно на стінки згаданих наскрізних отворів забезпечить допомогою останніх найкоротший заземлення елементів інтегральної схеми НВЧ і, як наслідок, - поліпшення електричних характеристик.

Товщина шару кристалічного полуизолирующего кремнію менше 350 мкм не припустима неприпустиме його прогину, який не дозволить якісне виконання наступних операцій при формуванні як активних, так і пасивних елементів інтегральної схеми НВЧ, а понад 500 мкм не має сенсу.

Обробка поверхні кристалічного шару полуизолирующего кремнію з лицьової сторони з шорсткістю нижче 14 класу не припустима, що відповідає нерівності поверхні не більше 0,05 мкм, і що не дозволить якісне викон>p>Стоншення шару кристалічного полуизолирующего кремнію із зворотного боку допомогою механічного шліфування

на першому етапі до товщини менше 40 мкм обмежена можливостями технологічного обладнання для шліфування пластин кремнію, а більше 50 мкм недоцільно,

на другому етапі за допомогою хіміко-динамічного полірування до товщини менш як 5 мкм, так і більш 10 мкм не допустимо, у першому випадку - через можливість стравлювання всього шару кристалічного полуизолирующего кремнію, у другому - з-за значного збільшення теплового опору і відповідно збільшення температури активної області активних елементів і відповідно погіршення електричних характеристик.

Винахід пояснюється кресленням.

На фіг.1 дана схема прямої послідовності технологічних операцій заявленого способу виготовлення інтегральної схеми НВЧ, а саме і де:

попередньо виготовляють шар кристалічного полуизолирующего кремнію - 1 з товщиною 350-500 мкм і передбачає обробку його поверхні з лицьового боку з шорсткістю не нижче 14 класу (фіг.1а),

а діелектричну підкладку з алмазу - 2 виготовляють на лицьовій стороні шару кристалличес1б),

далі шар кристалічного полуизолирующего кремнію 1 із зворотного боку утоняют у два етапи на першому - до товщини 40-50 мкм допомогою механічного шліфування, на другому - до товщини 5-10 мкм за допомогою хіміко-динамічного полірування (фіг.1в),

а активні і пасивні елементи - 3 і 4 відповідно,

елементи ліній передачі - 5 і висновки - 6 формують на звороті шару кристалічного полуизолирующего кремнію 1 в єдиному технологічному циклі за допомогою методів тонкоплівкової технології (фіг.1г),

в діелектричній підкладці з алмазу 2 і шарі кристалічного полуизолирующего кремнію 1 з боку діелектричної підкладки з алмазу виготовляють

наскрізні отвори - 7 з топологією, що забезпечує заземлення елементів інтегральної схеми НВЧ (фіг.1д),

а далі наносять металлизационное покриття - 8 на діелектричну підкладку з алмазу 2 і одночасно на стінки згаданих наскрізних отворів 7 (фіг.1е).

Приклади конкретного виконання.

Приклад 1.

Приклад конкретного виконання заявленого способу виготовлення інтегральної схеми НВЧ розглянуто на прикладі виготовлення потужного однокаскадного підсилювача потужності НВЧ.

Попередньо виготовляють шар крицевой сторони не нижче 14 класу, що відповідає висоті шорсткості поверхні Rzрівне 0,05 мкм (ГОСТ 2789-59 (фіг.1а),

виготовляють діелектричну підкладку з алмазу 2 на лицьовій стороні шару кристалічного полуизолирующего кремнію 1 товщиною 100 мкм методом хімічного осадження з газової фази (CVD) у збудженої плазмі (фіг.1б),

утоняют шар кристалічного полуизолирующего кремнію 1 з протилежного боку в два етапи на першому - до товщини 45 мкм допомогою механічного шліфування на плоскопараллельном столі водною суспензією з діаметром порошку 1 мкм, контролюючи товщину мікрометром з точністю ±1 мкм, на другому - до товщини 7,5 мкм допомогою методу хіміко-динамічного полірування в розчині, що містить азотну (HNO3), плавикову (HF) і оцтову кислоти (СН3СООН) при наступному співвідношенні, мас.%, 8:5:5 відповідно (фіг.1в),

формують активні 3 і пасивні 4 елементи, елементи ліній передачі 5 і 6 висновки на протилежній стороні шару кристалічного полуизолирующего кремнію 1 в єдиному технологічному циклі за допомогою методів тонкоплівкової технології згідно топології потужного однокаскадного підсилювача потужності СВЧ, при цьому активний елемент - польовий транзистор на гетеростр�одложке з алмазу 2 і шарі кристалічного полуизолирующего кремнію 1 з боку діелектричної підкладки з алмазу наскрізні отвори 7 з топологією, забезпечує заданий заземлення елементів інтегральної схеми НВЧ потужного однокаскадного підсилювача потужності НВЧ за допомогою послідовно плазмохімічного травлення діелектричної підкладки з алмазу і подальшого хімічного травлення шару кристалічного полуизолирующего кремнію (фіг.1д),

наносять металлизационное покриття 8 на діелектричну підкладку з алмазу 2 і одночасно на стінки згаданих наскрізних отворів 7 допомогою вакуумного нанесення прямої послідовності системи шарів добре проводять металів нікель-золото з адгезійним підшаром і подальшого осадження шару золота гальванічним методом, при цьому загальною товщиною 3 мкм (фіг.1е).

Приклади 2-5. Аналогічно прикладу 1 виготовлені зразки потужного однокаскадного підсилювача потужності СВЧ, але при інших технологічних режимах заявленого способу виготовлення інтегральної схеми НВЧ.

На виготовлених зразках потужного однокаскадного підсилювача потужності НВЧ виміряні вихідна потужність, коефіцієнт підсилення, визначено ККД допомогою установки зондових вимірювань КГ4-3022/зонд 6Т.

Оцінка надійності проводилася за методикою ПОВ-361 шляхом прискорених випробувань.

Коефіцієнт прискорення визна�sub>=exp[11604.4Ea(Tпрозн.фТпрозн.н)Тпрозн.фТпрозн.н]

де:

Еа- енергія активації,

Тосн.н- температура номінального режиму,

Тосн.ф- температура форсованого режиму.

Дані зведені в таблицю.

Як видно з таблиці:

- вихідна потужність, коефіцієнт підсилення і ККД у робочій смузі частот мають резонансний характер і дорівнюють приблизно (4-5) Вт, (9-10 дБ) і 40-45% відповідно,

Виграш в надійності більше 20%.

Таким чином, заявлений спосіб виготовлення інтегральної схеми НВЧ дозволить у порівнянні з прототипом:

- підвищити вихідну потужність приблизно на 1 Вт,

- збільшити коефіцієнт підсилення приблизно на 1 дБ,

- збільшити ККД приблизно на 10%,

- підвищити надійність приблизно на 20 відсотків,

- знизити масогабаритні характеристики приблизно в 2 разание і технологія виготовлення. Огляди по електронній техніці. Сер.I "Електроніка НВЧ", вип.20 (1319), 1987 р.

2. L. T. Juan and P. G. Asher. A. W. - band monolithic balanced mixer. JEEE 1985 micro-wave and millimeter-wave monolithic circuits Symp. Digest of papers Ed. M. Cohn. New Jork. 1985 р., р. 71.

3. Патент РФ №2474921 МПК H01L 27/00, Н05К 1/00, пріоритет 30.08.2011 р., опубл. 10.02.2013 р. - прототип.

"1">8,5-9,5
Таблиця
№ п. пШар кристалічного полуизолирующего кремніюСтоншення шару кристалічного полуизолирующего кремніюТовщина діелектричної підкладки з алмазу, мкмРезультати вимірювань
Товщина шару, мкмКлас чистоти лицьової сторони шару, одНа першому етапі, мкмНа другому етапі, мкмВихідна потужність, ВтКоефіцієнт підсилення, дБККД, %
1400144535-40
2350144051004-59-1040-45
35001450102003-48-930-35
43001335350Прогин
55501455122502,5-3,57,5-8,525-30
прототип--8-930-35

1. Спосіб виготовлення інтегральної схеми НВЧ, що включає виготовлення діелектричної підкладки з алмазу товщиною 100-200 мкм, нанесення на неї металлизационного покриття, формування активних і пасивних елементів, елементів ліній передачі, висновків, елементів заземлення, який відрізняється тим, що попередньо виготовляють шар кристалічного полуизолирующего кремнію товщиною 350-500 мкм і передбачає обробку його поверхні з лицьового боку з шорсткістю не нижче 14 класу, а діелектричну підкладку з алмазу виготовляють на лицьовій стороні шару кристалічного полуизолирующего кремнію методом хімічного осадження з газової фази з плазмовим збудженням, далі шар кристалічного полуизолирующего кремнію із зворотного боку утоняют у два етапи на першому - до товщини 40-50 мкм допомогою механічного шліфування, на другому - до товщини 5-10 мкм за допомогою хіміко-динамічного полірування, а активні і пасивні елементи, елементи ліній передачі та висновки формують на звороті шару кристалічного полуизолирующего кремнію в єдиному технологічному циклі за допомогою методів тонкопле� боку діелектричної підкладки з алмазу виготовляють наскрізні отвори з топологією, забезпечує заземлення, а далі наносять металлизационное покриття на діелектричну підкладку з алмазу і одночасно на стінки згаданих наскрізних отворів.

2. Спосіб виготовлення інтегральної схеми НВЧ по п. 1, який відрізняється тим, що нанесення металлизационного покриття на зворотному боці діелектричної підкладки з алмазу здійснюють за допомогою методу вакуумного нанесення прямої послідовності системи шарів добре проводять металів нікель-золото з адгезійним підшаром і подальшого осадження шару золота гальванічним методом, при цьому загальною товщиною 3 мкм.

3. Спосіб виготовлення інтегральної схеми НВЧ по п. 1, який відрізняється тим, що при формуванні активних і пасивних елементів, елементів ліній передачі та висновків тип задається типом пристрою інтегральної схеми НВЧ.



 

Схожі патенти:
Винахід відноситься до полімерних плівок, призначених для використання в області електротехніки, зокрема, в якості носія гнучких друкованих плат. Описана піддана двовісних розтягування полімерна плівка, отримана з поліамідної композиції, що містить щонайменше 80 мас.% у розрахунку на сукупну масу полімерної композиції напівкристалічного полуароматического поліаміду, що має температуру плавлення (Tm), рівну щонайменше 300°С. Полімерна плівка характеризується середнім коефіцієнтом термічного розширення в площині у температурному діапазоні 20°С-Tg, виміряним у площині за методом, відповідного документа ASTM D969-08, та рівним, найбільше, 40 год/млн./К. Полукристаллический полуароматический поліамід містить повторювані ланки, вироблені з дикарбоновой кислоти, що складається з 70-100 мол.% терефталевої кислоти, діамін, та інші повторювані ланки в кількості 0-5 мол.%. Описаний спосіб отримання полімерної плівки, застосування плівки в якості стрічкового носія при виготовленні друкованих плат, в якості гнучкого носія. Описана гнучка друкована плата, електронна система або друкована плата в зборі. Технічний результат - стабільно�плівок. 6 н. і 7 з.п. ф-ли, 2 табл., 2 пр.

Радіоелектронний блок

Винахід відноситься до радіоелектроніці і може бути використано для вирішення задач відводу тепла від розміщених на друкованих платах теплонагруженних радіоелектронних компонентів. Технічний результат - підвищення ефективності відведення тепла від теплонагруженних радіоелектронних компонентів. Досягається тим, що в запропонованому радіоелектронного блоці на крайній друкованій платі 2 встановлений теплонагруженний радіоелектронний компонент 3, на якому встановлена теплопроводящая пластина 4 з ребрами 5 і пазами 6, в які входять відповідно ребра 7 і пази 8 теплопроводящей кришки 1 при складанні радіоелектронного блоку, а зазори між ребрами 5 і 7 заповнюються теплопровідних матеріалом 9. 1 іл.

Деталі з композитного матеріалу электроконструктивного

Даний винахід стосується конструкції, зібрану з деталей з композитного матеріалу, які призначені для виготовлення робочих авіаційних конструкцій та розміщення електричної мережі в літальному апараті. Технічний результат - забезпечення конструкцій значних розмірів, що мають електричну мережу, шляхом електричного з'єднання конструктивних деталей між собою. Досягається тим, що жорстка конструктивна деталь (1) з шаруватого композитного матеріалу включає в себе електропровідні кабелі і характеризується тим, що містить, щонайменше, два конструктивних шару (11, 12), що містять волокна, утримувані термоотверждающейся або термопластичної матрицею, при цьому, щонайменше, один провідний мережевий шар (15) розміщений між двома з, щонайменше, двох конструктивних шарів, причому, щонайменше, один провідний мережевий шар містить мережа електропровідних кабелів (151а - 151с), при цьому електропровідні кабелі розміщені у конструктивної деталі, по суті, рівномірно і електрично ізольовані від двох конструктивних шарів діелектричним матеріалом (150). Конструктивна деталь (1) містить засоби (18) електричного з'єднання, з якими е�ня електричної мережі (6) за допомогою складання декількох конструктивних деталей. 2 н. і 20 з.п. ф-ли, 9 іл.

Інтегральна схема нвч

Винахід відноситься до електронної техніки, а саме інтегральних схем НВЧ, і може бути широко використано в електронній техніці НВЧ, зокрема в радіолокаційних станціях з фазированими антенними решітками (ФАР)

Радіоелектронний блок

Винахід відноситься до радіоелектроніці і може бути використано при проектуванні і виготовленні радіоелектронних блоків

Радіоелектронний блок

Винахід відноситься до радіотехніки, зокрема до радіоелектронним блокам, які працюють в умовах дії підвищених динамічних навантажень

Радіоелектронний блок

Винахід відноситься до галузі радіоелектронної техніки, а саме до конструкцій пакетного типу з пружинними контактними блоками

Модуль радіоелектронної апаратури з гипертеплопроводящим підставою

Винахід відноситься до радіоелектроніці і може бути використане при конструюванні радіоелектронної апаратури, що функціонує в умовах вакууму, наприклад у космосі

Спосіб формування мемристора на основі твердотільного сплаву si:me і структура мемристора на основі твердотільного сплаву si:me

Винахід відноситься до галузі мікроелектроніки, а саме до технології виготовлення інтегрального елемента логіки та/або енергонезалежній пам'яті на основі структур метал-ізолятор-метал (МІМ). Завданням цього винаходу є створення мемристора, який відрізняється відсутністю «формування» при першому перемиканні структури до стану з малим опором. Оскільки цей етап є критично важливим для отримання необхідних характеристик МІМ-структур, відсутність даного етапу дає можливість отримання великих матриць МІМ-структур з однорідними параметрами. Спосіб формування мемристора на основі метал-ізолятор-метал структури включає формування шару ізолятора з твердотільного сплаву Si:Me, який формують з наперед заданим профілем концентрації металу Me по товщині. Для цього зростання ізолятора здійснюють шляхом почергового осадження надтонких шарів Si і Me різної товщини таким чином, що забезпечується зростання концентрації Ме в Si, за напрямком від нижнього електрода до верхнього електроду в межах 1-25%. Також створений мемристор на основі метал-ізолятор-метал структури. 2 н. і 16 з.п. ф-ли, 2 іл., 1 пр.

Вбудована з нвіс технології кмоп/кні пам'ять

Винахід відноситься до галузі обчислювальної техніки, зокрема до схем матриць комірок пам'яті MRAM», що використовує технологію магніторезистивної оперативної пам'яті з передачею спінового обертання. Технічним результатом винаходу є інтеграція технології формування матриці пам'яті MRAM» з поліпшеним магнітним гістерезисом магнітних елементів у структуру технології НВІС «комплементарний-метал-оксид-напівпровідник/кремній-на-ізоляторі» (КМОП/КНІ). У способі виготовлення вбудованої в базовий технологічний маршрут КМОП/КНІ пам'яті MRAM» з метою формування вихідної планарною гетероструктури НВІС технології КМОП/КНІ з ізоляцією «STI», використовуваної в якості підкладки, і подальшого формування на ній матриці пам'яті MRAM» послідовно формують у приладовому шарі Si гетероструктури КНІ області n - і p-кишень, ізоляцію «STI», n+- p+-полікремнієві затвори для n - і p-канальних транзисторів відповідно, області високоомних стоків і витоків МДН транзисторів, p+-стоки, доходять до дна приладового шару, а також шари самосовмещенного силіцидів титану і багаторівневою металізації, потім на сформованій структурі НВІС після третього шару металізації формують матрицсированной намагніченістю («ФС») і тунельний ізолюючий шар («ІД»), розташований між «СС» і «ФС», потім формують четвертий рівень металізації і захисний діелектричний шар. 3 н. і 33 з.п. ф-ли, 56 іл.

Спосіб формування магніторезистивного елемента пам'яті на основі тунельного переходу та його структура

Винахід відноситься до електронної техніки і може бути використана для формування постійних запам'ятовувальних пристроїв, а також в якості датчиків магнітного поля. Технічний результат винаходу - створення магніторезистивного елемента пам'яті, що складається з двох феромагнітних плівок, розділених туннельно-прозорим діелектричним бар'єром з можливістю інтеграції в БІС планарній технології КМОП КНД, дослідження можливості зміни електроопору елемента «MTJ» з достатнім рівнем зміни магніторезистивного опору для промислової реалізації шляхом перемагнічування одного з феромагнітних шарів зовнішнім магнітним полем. У способі формування магніторезистивного елемента пам'яті на основі тунельного переходу, що включає нанесення на підкладку магніторезистивної структури, що включає вільний та зв'язаний магнітні шари, розділені діелектричної тунельної прошарком, з подальшим формуванням структури елемента пам'яті, перед нанесенням магніторезистивної структури на поверхню підкладки для формування нижнього немагнітного провідного електрода методом магнетронного розпилення наносять багатошарову структуру Au/Та, а еле�-ли, 33 іл.

Спосіб одержання локальних низькоомних областей силіцидів титану в інтегральних схемах

Винахід відноситься до технології виготовлення інтегральних схем на основі комплементарних транзисторів зі структурою метал - оксид - напівпровідник (КМОН ІВ)

Спосіб отримання енергонезалежного елемента пам'яті

Винахід відноситься до галузі мікроелектроніки, і може бути використане при виготовленні двухэлектродних резистивних енергонезалежних елементів запам'ятовуючих пристроїв

Спосіб виготовлення радіаційно-стійкої біс

Винахід відноситься до області мікроелектроніки і призначене для виготовлення радіаційно-стійких БІС

Спосіб виготовлення інвертора і інвертор

Винахід відноситься до інвертора, що складається з тонкоплівкових транзисторів з оксидним напівпровідниковим шаром

Спосіб формування польового кмоп транзистора, створеного з використанням діелектриків на основі оксидів металів з високим коефіцієнтом діелектричної проникності і металевих затворів (варіанти)

Винахід відноситься до галузі мікроелектроніки, а саме до технології виготовлення КМОП-транзисторів, зокрема до способів керування напругою спрацьовування польового КМОП транзистора
Up!