Спосіб виготовлення напівпровідникової структури

 

Винахід відноситься до галузі технології виробництва напівпровідникових приладів, зокрема до технології виготовлення біполярних транзисторів з низькою щільністю дефектів.

Відомий спосіб створення транзистора [Пат. 5163178 США, МКИ H01L 29/72], в якому тип провідності підкладки відповідає типу провідності області бази приладу. Емітерний та колекторний електроди створюють шляхом локального легування поверхні підкладки через вікна, сформовані з використанням фотолітографії; ширина бази визначається відстанню між легованими областями. Потім проводять повторний процес легування віддалених від бази частин електродів емітера і колектора, підвищуючи в них концентрації легуючих домішок. В таких приладах з-за нетехнологічності процесів формування легованих областей збільшуються струми витоку.

Відомий спосіб виготовлення транзистора [Пат. 5047365 США, МКИ H01L 21/20] з поліпшеними характеристиками. На полуизолирующую підкладку GaAsнаносяться епітаксіальні шари n+- GaAs:Si(емітер) і n GaAs:Si. Далі вирощується эпитаксиальний шар n Ge:Si(колектор), при цьому нижня частина цього шару заутем імплантації іонів В+по боках шару Geформуються p+-ділянки, базові області, а з боків n GaAs-шару - високоомні ізолюючі ділянки.

Недоліками способу є:

- низька технологічність;

- низькі значення коефіцієнта посилення;

- висока щільність дефектів.

Завдання, розв'язувана винаходом: зниження густини дефектів, що забезпечує технологічність, поліпшення параметрів, підвищення надійності і збільшення відсотка виходу придатних.

Завдання вирішується шляхом формування базової галузі напівпровідникового приладу легуванням вуглецем концентрацією 2,1-2,4·1019см-3з подальшим відпалом при температурі 500-550°C протягом 50-60 с.

Технологія способу полягає в наступному: транзисторну структуру та області емітера і колектора формують за стандартною технологією, а базову область формують легуванням вуглецем концентрацією 2,1-2,4·1019см-3з подальшим відпалом при температурі 500-550°C протягом 50-60 сек. Потім формують контактні області емітера, бази і колектора за стандартною технологією. Так як вуглець має найменший коефіцієнт дифузії, то це дозволяє отримати різкий профіль розподілу домішки і підвищити коэффиупроводниковие структури.

Результати обробки представлені в таблиці 1.

Експериментальні дослідження показали, що вихід придатних структур на партії пластин, сформованих в оптимальному режимі, збільшився на 17,4%.

Технічний результат: зниження густини дефектів, забезпечення технологічності, поліпшення параметрів, підвищення якості та збільшення відсотка виходу придатних.

Стабільність параметрів у всьому експлуатаційному інтервалі температур була нормальною і відповідала вимогам.

Запропонований спосіб виготовлення напівпровідникового приладу шляхом формування базової області легуванням вуглецем концентрацією 2,1-2,4·1019см-3з подальшим відпалом при температурі 500-550°C протягом 50-60 с дозволяє підвищити відсоток виходу придатних структур і поліпшити їх надійність.

Спосіб виготовлення напівпровідникового приладу, що включає нанесення епітаксійного шару, формування областей емітера, колектора і бази, відрізняється тим, що область бази формують легуванням вуглецем концентрацією 2,1-2,4·1019см-3з подальшим відпалом при температурі 500-550°C протягом 50-60 с.



 

Схожі патенти:

Касета для сплавлення елементів силових напівпровідникових діодів

Винахід відноситься до галузі силової електроніки. Касета для сплавлення елементів конструкції напівпровідникових діодів містить підставу, виконане з пластини вуглецю, в якому за твірною колу термокомпенсатора виготовлені п-образні порожнини глибиною h=(1-2) діаметра керамічних стрижнів. У порожнині встановлені керамічні стрижні діаметром 4-7 міліметрів, виступаючі над поверхнею вуглецевої пластини на висоту Н>(10-20)% висоти елементів напівпровідникових діодів, зібраних у єдину конструкцію. Винахід забезпечує зниження забруднення робочої поверхні касети при одночасному утворенні вільного закінчення парів легколетучих матеріалів у навколишнє середовище. 1 іл.

Спосіб виготовлення детектирующей матриці рентгенівського випромінювання

Винахід відноситься до напівпровідникової техніки і може бути використане у виробництві детекторів електромагнітних випромінювань різної довжини. Суть винаходу полягає в тому, що наносять шар напівпровідникового матеріалу необхідної товщини на керамічну, скляну або полімерну непроводящую пластину. Потім розрізають цю пластину на смуги потрібної ширини і з'єднують отримані смуги з утворенням шаруватої площині, в якій чергуються смуги кераміки, скла або полімеру і смуги напівпровідникового матеріалу, далі розрізають отриману площину на смуги у напрямку, перпендикулярному розташуванню первинних смуг кераміки, скла або полімеру і напівпровідникового матеріалу, вставляють до місця розрізів смуги кераміки, скла або полімеру і знову з'єднують всі смуги між собою. До отриманої матричної поверхні з однієї сторони приєднують загальний потенційний електрод, а з іншого боку виробляють монтаж індивідуальних електродів до кожної з напівпровідникових комірок матриці. Технічний результат - можливість технологічного виготовлення детектуючих матриць будь-якого необхідного розміру. 2 н. п. ф-ли, 1 іл.

Спосіб отримання чутливого елемента матриці теплового приймача

Винахід відноситься до галузі мікроелектроніки, зокрема до створення тонкоплівкових елементів матриці неохолоджуваного типу в теплових приймачах випромінювання (болометрів) високої чутливості. Спосіб отримання чутливого елемента матриці теплового приймача на основі оксиду ванадію являє собою нанесення металевої плівки ванадію і електродів методами магнетронного розпилення та подальшої ліфт-офф літографії на діелектричну підкладку. Потім через металеву плівку ванадію пропускають електричний струм високої щільності, під дією якого вона нагрівається і термічно окислюється. Після нагріву структури і утворення оксиду VOx струм вимикають, і відбувається охолодження сформованого тонкоплівкового елемента. Винахід дозволяє значно спростити спосіб виготовлення чутливого елемента матриці теплового приймача. 1 з.п. ф-ли, 1 іл.

Спосіб отримання мікро - та наноструктур на поверхні матеріалів

Використання: для створення матеріалів з новими властивостями та способу обробки поверхні твердого матеріалу з отриманням на цій поверхні структур з лусочками субмикронной товщини і мікронними розмірами та/або з субмікронними тріщинами і щілинами між згаданими лусочками і/або ділянками поверхні з характерними субмікронними перепадами по висоті рельєфу. Суть винаходу полягає в тому, що спосіб заснований на опроміненні переміщається лазерним пучком поверхні в зонах поверхні матеріалу з коефіцієнтом поглинання не менше 3·104 см-1 на довжині хвилі лазерного, при цьому для опромінення кожної зони використовують серію лазерних імпульсів з тривалістю імпульсу не більше 30 нс, а щільність енергії F лазерного пучка в опромінюваної зоні задають в діапазоні F=0,005-1,0 Дж/см2 із забезпеченням розтріскування приповерхневого шару матеріалу без його плавлення з утворенням на поверхні матеріалу субмікронних тріщин, щілин і частинок з розмірами від 0,05 мкм до 0,8 мкм. Технічний результат: спрощення способу отримання мікро - і наноструктур для широкого класу матеріалів. 11 з.п. ф-ли, 1 табл., 7 іл.

Нанесення легованих плівок zno на полімерні підкладки хімічним осадженням із газової фази під впливом уф

Винахід відноситься до способу утворення прозорого легованого шару, що містить оксид цинку, на полімерній підкладці для оптоелектронних пристроїв і прозорому легированному шару. Спосіб включає контакт полімерної підкладки щонайменше з одним прекурсором, що містить легирующую добавку і цинк, і дія ультрафіолетового світла під час процесу хімічного осадження з газової фази для розкладання щонайменше одного прекурсора і нанесення шару на полімерну підкладку. Полімерну підкладку вибирають із групи, що складається з фторполимерних смол, складних поліефірів, поліакрилатів, поліамідів, полиимидов і полікарбонатів. Стадію контактування здійснюють при приблизно атмосферному тиску. Технічний результат - розробка способу хімічного осадження з газової фази для нанесення легованих плівок оксиду цинку на полімерні підкладки для використання в оптоелектроніці. 2 н. і 10 з.п. ф-ли, 1 табл., 8 іл., 2 пр.

Спосіб визначення концентрації носіїв заряду в напівпровідниках і пристрій для його здійснення

Група винаходів відноситься до галузі електронної техніки, мікро - і наноелектроніки і може бути використана для локального визначення концентрації вільних носіїв заряду в окремо взятих напівпровідникових нанооб'єктах і наноструктурах, а також для контролю якості матеріалів, що застосовуються в напівпровідниковому приладобудуванні. Спосіб визначення концентрації носіїв заряду в напівпровідниках полягає в пропущенні через перехід зміщений в зворотному, так і в прямому напрямках, високочастотного струму, отримання інформації про концентрації носіїв заряду на глибині області збіднення з добутку амплітуди струму другої гармоніки і напруги першої гармоніки, обернено пропорційного концентрації носіїв заряду, виявлення досліджуваного об'єкта шляхом сканування в атомно-силовому мікроскопі з проводять зондом, формування бар'єрного контакту до досліджуваного нанообъекту зондом мікроскопа. Пристрій, що реалізує спосіб, містить 28 елементів. Винахід забезпечує локальне визначення концентрації вільних носіїв заряду в напівпровідникових мікро - і наноструктурах. 2 н. п. ф-ли, 1 іл.

Розчин для гідрохімічного осадження напівпровідникових плівок сульфіду індія

Винахід відноситься до технології отримання виробів оптоелектроніки та сонячної енергетики, а саме до розчину для гідрохімічного осадження напівпровідникових плівок сульфіду індія(III). Розчин містить сіль індія(III), винну кислоту, тиоацетамид, гідроксиламін солянокислий при наступних концентраціях реагентів, моль/л: сіль індія(III) - 0,01-0,2; тиоацетамид - 0,01-0,5; винна кислота - 0,005-0,2; гідроксиламін солянокислий - 0,005-0,15. Винахід дозволяє отримати плівки сульфіду індія(III), що характеризуються більш високими величинами товщин при одночасному збереженні високої якості поверхні плівок. 1 табл., 2 пр.

Гетерогенний процесор

Винахід відноситься до галузі обчислювальної техніки, а саме до області цифрової обробки сигналів. Технічний результат - зниження енергоспоживання на одиницю продуктивності і підвищення продуктивності процесора. Гетерогенний процесор містить: універсальний процесор з портом, блок вводу/виводу з портом, контролер оперативної пам'яті з портом, блок прискореного виконання алгоритмів цифрової обробки сигналів з портом, що складається з контролера прямого доступу до пам'яті блоки пам'яті програм і блоку управління обчислювальними секціями, кожна з яких складається з блоку регістрового файлу з портами, сполученого з портом блоку управління обчислювальними секціями, локального блоку ОЗП і блоку арифметико-логічного пристрою, що складається з блоків вхідних регістрів, блоків вихідних регістрів, блоків умножителей і блоків суматорів, встановлених в кількості, достатній для виконання операції B±C×D кожен такт, де B, C і D - комплексні числа, дійсні та уявні частини яких є 32-розрядними числами з плаваючою комою, а процесор оснащений блоком буферної пам'яті з портами. 3 іл.

Пристрій для переміщення підкладок без утворення частинок

Винахід відноситься до пристрою для переміщення підкладок згідно технології виробництва мікропроцесорної техніки без утворення частинок в мініатюрних робочих середовищах в умовах чистого приміщення. Пристрій для переміщення підкладок виконано з можливістю переміщення підкладки вздовж кількох осей за допомогою маніпулятора, забезпеченого на своєму вільному кінці електромагнітної рухомий виделкою, причому маніпулятор розташований на підйомно-обертальному сайті, електромагнітна напрямна опора забезпечена активним рухомим елементом, який встановлений на нерухомому пасивному елементі за допомогою закріплених у поперечному напрямку магнітних опор, які утримують активний рухливий елемент на пасивному елементі в рівновазі і в підвішеному стані, при цьому активний елемент забезпечений підйомно-обертальним вузлом, який містить зовнішню трубку, вертикально закріплену на активному елементі, всередині зовнішньої трубки розташовані магнітні опори, встановлені з рівними інтервалами на внутрішній поверхні зовнішньої трубки для безконтактного напрями внутрішньої трубки у вертикальному напрямку між двома крайніми положеннями. Винахід дозволяє здійс�

Спосіб отримання тонкошарового, заснованого на ефектах термічно та/або оптично стимульованої люмінесценції детектора заряджених частинок ядерних випромінювань на основі оксиду алюмінію

Винахід відноситься до способів одержання тонкошарових детекторів заряджених частинок, заснованих на явищах термостимульованої та/або оптично стимульованої люмінесценції. Суть винаходу полягає в тому, що спосіб включає випаровування мішені вихідного матеріалу імпульсним електронним пучком з енергією 100 кев, тривалістю імпульсів від 20 до 300 мкс, щільністю енергії не менше 1 МДж/см2, пучок електронів на шляху до мішені проводять через систему створення перепаду тиску газу, з допомогою якої в камері випаровування забезпечують тиск в діапазоні 1-20 Па для охолодження частинок, при цьому осадження частинок виробляють на охолоджувані підкладки, виконані з металу, температура плавлення якого перевищує 900°C, а коефіцієнт лінійного теплового розширення близький до коефіцієнта лінійного теплового розширення осадженого шару оксиду алюмінію, товщину якого від 5 до 40 мкм регулюють часом осадження від 5 до 20 хвилин, а чутливість до випромінювання - фінішної термообробкою в діапазоні 550-900°C протягом 10-20 хвилин. Технічний результат - підвищення точності, надійності та достовірності реєстрації доз короткопробежних заряджених частинок ядерних випромінювань, включаючи з�
Up!