Аттенюатор свч

 

Винахід відноситься до електронної техніки, а саме до аттенюаторам НВЧ на напівпровідникових приладах.

Атенюатори СВЧ, виконані на напівпровідникових приладах, широко використовуються в техніці НВЧ.

Особливо багаторозрядні атенюатори СВЧ з дискретним зміною загасання, які, як правило, являють собою каскадне з'єднання декількох, щонайменше, двох розрядів, кожен з яких являє собою так зване П - або Т-подібне з'єднання резисторів щодо ліній передачі на вході і виході аттенюатора СВЧ. Підключення та відключення резисторів в кожному розряді здійснюють електронними ключами, в якості яких використовують напівпровідникові транзистори. Це дозволяє отримати необхідні комбінації дискретного зміни загасання многоразрядного аттенюатора СВЧ.

Відомий багаторозрядний аттенюатор СВЧ, містить в кожному розряді П-образне з'єднання трьох резисторів, в якому в якості трьох електронних ключів використані польові транзистори з бар'єром Шоткі, при цьому послідовно з'єднаний резистор паралельно з'єднаний з витоком і стоком польового транзистора з бар'єром Шоткі, а затвор з'єднаний з першим джерелом постійного�єни по різні сторони від послідовно з'єднаного резистора і з'єднані з ним, а другі їх кінці з'єднані зі стоками двох інших польових транзисторів з бар'єром Шоткі відповідно, витоки яких «заземлені», а затвори з'єднані між собою та з'єднані з другим джерелом постійного керуючого напруги [1].

Відомий аттенюатор СВЧ, складається, щонайменше, з одного розряду, кожен з яких містить з'єднання трьох резисторів, один з яких з'єднаний послідовно, а два інших - паралельно лініям передачі на вході і виході аттенюатора, і трьох електронних ключів, в якості яких використані польові транзистори з бар'єром Шоткі, при цьому послідовно з'єднаний резистор з'єднаний з витоком і стоком польового транзистора з бар'єром Шоткі, а паралельно з'єднані резистори виконані з однаковими опорами і розташовані по різні сторони від послідовно з'єднаного резистора і, відповідно, кожен разом з польовим транзистором з бар'єром Шоткі, витоки яких заземлені, а затвори трьох польових транзисторів з бар'єром Шоткі служать для подачі на них керуючого напруги.

З метою спрощення конструкції і зниження масогабаритних характеристик в кожен розряд аттенюатора додатково введені два відрізка чи�нове опір ліній передачі на вході або на виході аттенюатора, при цьому кожен з відрізків лінії передачі довжиною, що дорівнює чверті довжини хвилі, включений між відповідним паралельно сполученими резистором і стоком відповідного польового транзистора з бар'єром Шоткі, а затвори трьох польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані між собою і поєднані з одним джерелом постійного керуючого напруги [2] - прототип.

Недоліком аттенюаторов СВЧ - як прототипу, так і аналога є:

по-перше, великі прямі втрати СВЧ з-за каскадного з'єднання розрядів аттенюатора, при якому у відкритих станах опору послідовно включених польових транзисторів з бар'єром Шоткі підсумовуються;

по-друге, кожен розряд виконує тільки одну функцію - реалізує один рівень затухання.

Технічним результатом винаходу є зниження прямих втрат НВЧ і розширення функціональних можливостей аттенюатора СВЧ.

Технічний результат досягається заявленим атенюатором НВЧ, що містить лінії передачі на вході і виході з однаковим хвильовим опором, три резистора, перший з яких з'єднаний послідовно, а другий і третій - паралельно лініям передачі на вході і виході, три польових транзисторм опором, перевищує хвильовий опір ліній передачі на вході або на виході, при цьому один кінець першого резистора з'єднаний з лінією передачі на вході і з витоком першого польового транзистора з бар'єром Шоткі, другий його кінець - з лінією передачі на виході зі стоком першого польового транзистора з бар'єром Шоткі, другий і третій резистори розташовані по різні сторони від першого резистора, один кінець другого резистора з'єднаний з лінією передачі на вході, інший - з одним кінцем першого відрізка лінії передачі, один кінець третього резистора з'єднаний з лінією передачі на виході, інший - з одним кінцем другого відрізка лінії передачі, інші кінці відрізків ліній передачі з'єднані зі стоками другого і третього польових транзисторів з бар'єром Шоткі відповідно, їх витоки заземлені, затвори першого і другого польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані між собою і з джерелом постійного керуючого напруги.

У аттенюатор СВЧ додатково введені четвертий, п'ятий і шостий резистори, четвертий польовий транзистор з бар'єром Шоткі і другий джерело постійного керуючого напруги,

при цьому один з кінців четвертого резистора з'єднаний із джерелом четвертого полево транзистори з бар'єром Шоткі і з лінією передачі на виході,

а затвори першого і другого польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані з джерелом постійного керуючого напруги через п'ятий резистор,

затвори третього і четвертого польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані між собою і з другим джерелом постійного керуючого напруги через шостий резистор,

опору п'ятого і шостого резисторів на порядок більше хвильового опору лінії передачі на вході або на виході.

Розкриття суті заявленого винаходу.

Сукупність суттєвих ознак заявленого аттенюатора СВЧ, а саме

введення в аттенюатор СВЧ додатково четвертого, п'ятого і шостого резисторів, четвертого польового транзистора з бар'єром Шоткі і другого джерела постійного керуючого напруги, при цьому коли

один з кінців четвертого резистора з'єднаний із джерелом четвертого польового транзистора з бар'єром Шоткі і з лінією передачі на вході, інший його кінець - зі стоком четвертого польового транзистора з бар'єром Шоткі і з лінією передачі на виході,

а затвори першого і другого польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані з джерелом постійного керуючого напруги через п'ятий резисто�джерелом постійного керуючого напруги через шостий резистор,

опору п'ятого і шостого резисторів на порядок більше хвильового опору лінії передачі на вході або на виході.

Це забезпечить:

по-перше, паралельне з'єднання між собою першого і четвертого польових транзисторів з бар'єром Шоткі у відкритому стані і тим самим - зниження в два рази величини їх повного опору і, як наслідок, істотне зниження величини прямих втрат СВЧ,

по-друге, включення щонайменше трьох різних комбінацій паралельних і послідовних резисторів, і тим самим забезпечення замість однієї, як у прототипі, трьох різних комбінацій включення згаданих резисторів і тим самим трьох різних значень загасання сигналу НВЧ і, як наслідок, розширення функціональних можливостей аттенюатора СВЧ,

по-третє, зниження струмів витоку в затворах польових транзисторів з бар'єром Шоткі і, як наслідок, зниження прямих втрат СВЧ.

Винахід пояснюється кресленнями.

На фіг.1 зображена топологія заявленого аттенюатора СВЧ, де

- лінії передачі на вході і виході - 1, 2 відповідно,

- три резистора - 3, 4, 5 відповідно,

- три польові транзистори з бар'єром Шоткі - 6, 7, 8 відповідно,

- два відрізка Џтий, шостий резистори - 12, 13, 14 відповідно,

- четвертий польовий транзистор з бар'єром Шоткі - 15,

- другий джерело постійного керуючого напруги - 16.

На фіг.2 зображена електрична схема пропонованого аттенюатора СВЧ.

На фіг.3 наведені залежності від частоти величини прямих втрат Ап і величини ослаблення Аз при різних комбінаціях двох постійних керуючих напруг, рівних 0 -2 В - напруга відсічення.

Приклад конкретного виконання заявленого аттенюатора СВЧ.

Всі елементи аттенюатора СВЧ виконані в монолітно-інтегральному виконанні на напівпровідниковій підкладці з арсеніду галію товщиною, що дорівнює 0,1 мм, з використанням класичної тонкоплівкової технології.

Шість резисторів 3, 4, 5, 12, 13, 14 виконані з опорами резисторів, рівними 40 Ом, 100 Ом, 50 Ом, 40 Ом, 500 Ом, 500 Ом відповідно шляхом напилення, наприклад, хрому товщиною 2 мкм.

Чотири польові транзистори з бар'єром Шоткі 6, 7, 8, 13 мають напругу відсічення Uотс, рівне -2 Ст.

Два відрізка лінії передачі 9, 10 виконані шириною і довжиною провідників 0,01 і 3,0 мм відповідно.

Лінії передачі на вході 1 і виході 2 виконані шириною провідників 0,08 мм

При цьому перший резистор 3 сполуками спо�усунені паралельно лініям передачі на вході 1 і виході 2. Послідовно з'єднаний перший резистор 3 з'єднаний з витоком і стоком першого польового транзистора з бар'єром Шоткі 6 допомогою провідників.

Джерело четвертого польового транзистора з бар'єром Шоткі 15 з'єднаний з одним з кінців четвертого резистора 12 та з лінією передачі на вході 1, його сток - з іншим кінцем четвертого резистора 12 та з лінією передачі на виході 2.

Один кінець другого резистора 4 з'єднаний з лінією передачі на вході 1, інший - з одним кінцем першого відрізка лінії передачі 9, один кінець третього резистора 5 з'єднаний з лінією передачі на виході 2, інший - з одним кінцем другого відрізка лінії передачі 10, інші кінці відрізків ліній передачі 9, 10 з'єднані зі стоками другого 7 і третього 8 польових транзисторів з бар'єром Шоткі відповідно.

Затвори першого і другого польових транзисторів з бар'єром Шоткі 6 і 7 з'єднані між собою та з'єднані з першим джерелом постійного керуючого напруги 11 через п'ятий резистор 13.

Затвори третього і четвертого польових транзисторів з бар'єром Шоткі 8 і 15 з'єднані між собою та з'єднані з другим джерелом постійного керуючого напруги 16 через шостий резистор 14.

Витоки другого і третього польових транзис�інтегральна схема аттенюатора СВЧ.

Роботу аттенюатора СВЧ розглянемо для чотирьох комбінацій напруг двох джерел постійного керуючого напруги.

Перша.

При подачі на затвори польових транзисторів з бар'єром Шоткі 6 і 7 постійного керуючого напруги U1 величиною, рівної 0, від першого джерела постійного керуючого напруги 11 стають відкритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі (6 і 7).

При подачі на затвори польових транзисторів з бар'єром Шоткі 8 і 15 постійного керуючого напруги U2 величиною, рівної 0, від другого джерела постійного керуючого напруги 16 стають відкритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі (8 і 15).

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 6, включений паралельно першому резистору 3 з опором R1, маючи малий опір, зашунтирует перший резистор 3 і загальний опір Z1, розраховане за формулою

Z1=R1×Zоткр./(R1+Zоткр.), буде менше, ніж опір польового транзистора з бар'єром Шоткі Zоткр.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 15, включений паралельно четвертого резистору 12 з опором R4, маючи малий опір, зашунтирует четвертий резистор 12 і загальний опір Z4, розраховане за формулою

Z4=R4×Zоткпротивления включені паралельно один одному, то повне опір Z14, розраховане за формулою

Z14=Z1×Z4/(Z1+Z4), буде менше кожного з них і вдвічі менше Zоткр.

Польові транзистори з бар'єром Шоткі 7 та 8 мають малі опору Zоткр., а оскільки кожен з них включений на одному кінці відрізка лінії передачі 9 і 10 відповідно, з довжиною рівною, чверті довжини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором Z, що перевищує Z0, то на іншому їх кінці малі опору Zоткр. перетворюються в великі опору ZA, розраховані за формулою

ZA=Z2/Zоткр., де

Z2- квадрат хвильового опору відрізків лінії передачі 9, 10.

При цьому кожне велике опір ZA перевищує відповідний опір першого та четвертого резисторів 3 і 4, включене з ним послідовно.

Крім того, опір ZA перевищує хвильовий опір ліній передачі Z0 на вході 1 і виході 2.

У цьому випадку аттенюатор буде мати мале послідовне опір Z14 і два великих паралельних опору ZA, включених по обидві сторони малого послідовного опору Z14.

У цьому випадку у аттенюаторе реалізується мала величина прямих втрат Ап.

Друга.

При подачі на затвори польових транзисторів з баго керуючого напруги 11 стають закритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі (6, 7).

При подачі на затвори польових транзисторів з бар'єром Шоткі 8 і 15 постійного керуючого напруги U2 величиною, рівної 0, від другого джерела постійного керуючого напруги 16 стають відкритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі (8, 15).

В результаті цього польовий транзистор з бар'єром Шоткі 6, включений паралельно першому резистору 3 з опором R1, маючи великий опір Zзакр., не буде впливати на цей резистор і загальне послідовне опір Z1, розраховане за формулою

Z1=R1×Zзакр./(R1+Zзакр.), де

Zзакр. - опір польового транзистора з бар'єром Шоткі, - буде близько до опору R1.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 15, включений паралельно четвертого резистору 12 з опором R4, маючи малий опір Zзакр., зашунтирует резистор 12 і загальний опір Z4, розраховане за формулою

Z4=R4×Zоткр./(R4+Zоткр.), буде менше, ніж опір польового транзистора з бар'єром Шоткі Zоткр.

Оскільки ці опору включені паралельно один одному, то повне опір Z14, розраховане за формулою

Z14=R1×Z4/(R1+Z4), буде менше кожного з них і менше Zоткр.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 8 має мале сопротивдлини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором Z, що перевищує Z0, то на іншому його кінці мале опору Zоткр. перетвориться у велике опір ZA, розраховане за формулою ZA=Z2/Zоткр., де

Z2- квадрат хвильового опору другого відрізка лінії передачі 10.

При цьому велике опору ZA перевищує опір резистора R3 5, включене з ним послідовно.

Крім того, велике опір ZA перевищує хвильовий опір Z0 лінії передачі на виході 2.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 7 має великий опір Zзакр., а оскільки він включений на одному кінці першого відрізка лінії передачі 9 з довжиною, що дорівнює чверті довжини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором Z, що перевищує Z0, то на іншому його кінці велике опір Zзакр. перетвориться в малий опір ZB, розраховане за формулою

ZB=Z2/Zзакр., де

Z2- квадрат хвильового опору першого відрізка лінії передачі 9.

При цьому мале опір ZB шунтує на землю один кінець опору резистора R4 12, інший кінець якого з'єднаний з лінією передачі на вході 1.

У цьому випадку аттенюатор буде мати мале послідовне опір Z14, велика паралельне ора.

У цьому випадку у аттенюаторе реалізується необхідна перша величина загасання Аз1, відповідна паралельному опору R2.

Третя.

При подачі на затвори польових транзисторів з бар'єром Шоткі 6 і 7 постійного керуючого напруги U1 величиною, рівної 0, від першого джерела постійного керуючого напруги 11 стають відкритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі (6, 7).

При подачі на затвори польових транзисторів з бар'єром Шоткі 8 і 15 постійного керуючого напруги U2 величиною, що дорівнює -2, від другого джерела постійного керуючого напруги 16 стають закритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі (8, 15).

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 6, включений паралельно першому резистору 3 з опором R1, маючи малий опір Zоткр., зашунтирует резистор 3 і загальний опір Z1, розраховане за формулою

Z1=R1×Zоткр./(R1+Zоткр.), буде менше, ніж опір польового транзистора з бар'єром Шоткі Zоткр.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 15, включений паралельно четвертого резистору 12 з опором R4, маючи великий опір Zзакр., не буде впливати на четвертий резистор 12 і загальне послідовне опір Z4, р�Шоткі, близько до опору R4.

Оскільки ці опору включені паралельно один одному, то повне опір Z14, розраховане за формулою

Z14=Z1×R4/(Z1+R4), буде менше кожного з них і менше Zоткр.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 7 має малий опір Zоткр., а оскільки він включений на одному кінці першого відрізка лінії передачі 9 з довжиною, що дорівнює чверті довжини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором Z, що перевищує Z0, то на іншому його кінці мале опору Zоткр. перетвориться у велике опір ZA, розраховане за формулою ZA=Z2/Zоткр., де

Z2- квадрат хвильового опору відрізків лінії передачі 9.

При цьому велике опору ZA перевищує опір R2 другого резистора 4, включеного з ним послідовно.

Крім того, велике опір ZA перевищує хвильовий опір Z0 лінії передачі на виході 2.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 8 має великий опір Zзакр., а оскільки він включений на одному кінці другого відрізка лінії передачі 10 з довжиною, що дорівнює чверті довжини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором Z, що перевищує Z0, то на іншому його кінці велике опір Zзакр. перетвориться в м�тивления відрізків лінії передачі 10.

При цьому мале опір ZB шунтує на землю один кінець опору резистора R3 5, інший кінець якого з'єднаний з лінією передачі на виході 2.

У цьому випадку аттенюатор буде мати мале послідовне опір Z14, велика паралельне опір ZA, включене на вході, і заданий паралельне опір R3, включене на виході аттенюатора.

У цьому випадку у аттенюаторе реалізується необхідна друга величина загасання Аз2, відповідна паралельному опору R3.

Четверта.

При подачі на затвори польових транзисторів з бар'єром Шоткі 6 і 7 постійного керуючого напруги U1 величиною, що дорівнює -2, від першого джерела постійного керуючого напруги 11 стають закритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі.

При подачі на затвори польових транзисторів з бар'єром Шоткі 8 і 15 постійного керуючого напруги U2 величиною, що дорівнює -2, від другого джерела постійного керуючого напруги 16 стають закритими обидва польові транзистори з бар'єром Шоткі.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 6, включений паралельно послідовно з'єднаного резистору 3 з опором R1, маючи великий опір, не буде впливати� де

Zзакр. - опір польового транзистора з бар'єром Шоткі, буде близько до опору R1.

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 15, включений паралельно послідовно з'єднаного резистору 12 з опором R4, маючи великий опір, не буде впливати на цей резистор і загальне послідовне опір Z4, розраховане за формулою

Z4=R4×Zзакр./(R4+Zзакр.), де

Zзакр. - опір польового транзистора з бар'єром Шоткі, буде близько до опору R4.

Оскільки опору R1 і R4 включені паралельно один одному, то повне опір Z14 розраховується за формулою Z14=R1×R4/(R1+R4).

Польовий транзистор з бар'єром Шоткі 8 має великий опір Zзакр., а оскільки він включений на одному кінці другого відрізка лінії передачі 10 з довжиною, що дорівнює чверті довжини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором Z, що перевищує Z0, то на іншому його кінці велике опір Zзакр. перетвориться в малий опір ZB, розраховане за формулою ZB=Z2/Zзакр., де

Z2- квадрат хвильового опору відрізків лінії передачі 10.

При цьому мале опір ZB шунтує на землю один кінець опору R3 п'ятого резистора 5, інший кінець якого з'єднаний з кільки він включений на одному кінці першого відрізка лінії передачі з 9 завдовжки, дорівнює чверті довжини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором Z, що перевищує Z0, то на іншому його кінці велике опір Zзакр. перетвориться в малий опір ZB, розраховане за формулою

ZB=Z2/Zзакр., де

Z2- квадрат хвильового опору відрізків лінії передачі 10.

При цьому мале опір ZB шунтує на землю один кінець опору R2 другого резистора 4, інший кінець якого з'єднаний з лінією передачі на вході 1.

У цьому випадку аттенюатор буде мати задані опору: послідовне Z14, паралельні R2 і R3, включені на вході і виході відповідно.

У цьому випадку у аттенюаторе реалізується третя необхідна величина загасання Аз3.

На виготовлених зразках аттенюатора СВЧ були виміряні величини прямих втрат Ап і загасання Аз1, Аз2, Аз3, результати чого зображені на фіг.3.

Як видно з фіг.3, прямі втрати у аттенюаторе НВЧ на частоті 10 ГГц складають -0,5 дБ, а загасання -2,5 дБ, -4,5 дБ, -8,5 дБ, так що зміна загасання аттенюатора СВЧ становить -2 дБ, -4 дБ і -8 дБ відповідно.

Це говорить про те, що реалізуються три значення загасання сигналу НВЧ.

Таким чином, заявлений аттенюатор СВЧ порівняно з прототипдаря можливості реалізації трьох значень - рівнів загасання сигналу НВЧ.

Джерела інформації

1. Проектування багаторозрядних монолітних аттенюаторов Абакумова Н.В., Богданов Ю. М. та ін Електронна техніка. Сер.1, СВЧ-техніка. 2005 р., вип.2, с. 6-19.

2. Патент РФ №2314603 МПК H01P 1/22, пріоритет 10.02.2006 р., опубл. 10.01.2008 р. - прототип.

Аттенюатор НВЧ, що містить лінії передачі на вході і виході з однаковим хвильовим опором, три резистора, перший з яких з'єднаний послідовно, а другий і третій - паралельно лініям передачі на вході і виході, три польові транзистори з бар'єром Шоткі, два відрізка лінії передачі довжиною, що дорівнює чверті довжини хвилі в лінії передачі, і хвильовим опором, що перевищує хвильовий опір ліній передачі на вході або на виході, при цьому один кінець першого резистора з'єднаний з лінією передачі на вході і з витоком першого польового транзистора з бар'єром Шоткі, другий його кінець - з лінією передачі на виході зі стоком першого польового транзистора з бар'єром Шоткі, другий і третій резистори розташовані по різні сторони від першого резистора, один кінець другого резистора з'єднаний з лінією передачі на вході, інший - з одним кінцем першого відрізка лінії передачі, один кінець третього резици відрізків ліній передачі з'єднані зі стоками другого і третього польових транзисторів з бар'єром Шоткі відповідно, їх витоки заземлені, затвори першого і другого польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані між собою і з джерелом постійного керуючого напруги, який відрізняється тим, що в аттенюатор СВЧ додатково введені четвертий, п'ятий і шостий резистори, четвертий польовий транзистор з бар'єром Шоткі і другий джерело постійного керуючого напруги, при цьому один з кінців четвертого резистора з'єднаний із джерелом четвертого польового транзистора з бар'єром Шоткі і з лінією передачі на вході, інший його кінець - зі стоком четвертого польового транзистора з бар'єром Шоткі і з лінією передачі на виході, а затвори першого і другого польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані з джерелом постійного керуючого напруги через п'ятий резистор, затвори третього і четвертого польових транзисторів з бар'єром Шоткі з'єднані між собою і з другим джерелом постійного керуючого напруги через шостий резистор, опір п'ятого і шостого резисторів на порядок більше хвильового опору лінії передачі на вході або на виході.



 

Схожі патенти:

Швидкодіючий аттенюатор для вхідних ланцюгів аналого-цифрових інтерфейсів

Винахід відноситься до області електротехніки, радіотехніки, зв'язку і може використовуватися в структурі різних інтерфейсів, вимірювальних приладах. Технічний результат полягає в розширенні діапазону робочих частот пристрою і підвищення його швидкодії при роботі з імпульсними сигналами великої амплітуди. Швидкодіючий аттенюатор для вхідних ланцюгів аналого-цифрових інтерфейсів містить вхід (1) і вихід (2), між якими включений перший (3) резистор, другої (4) резистор, включений між виходом пристрою (2) і загальною шиною (5) для вхідних і вихідних сигналів, перший (6) конденсатор ланцюзі навантаження. В схему введено перший (7) додатковий транзистор, база якого підключена до входу (1) пристрої, колектор пов'язаний з першою (8) шиною джерела живлення, а емітер підключений до другої (9) шини джерела живлення через перший (10) токостабилизирующий двополюсник і пов'язаний з виходом пристрою (2) через перший (11) коригуючий конденсатор. 1 з.п. ф-ли, 9 іл.

Електронний аттенюатор

Винахід відноситься до радіотехніки і може бути використане в різних радіотехнічних пристроях з електронним регулюванням коефіцієнта передачі і в пристроях автоматичного регулювання

Електронний аттенюатор

Винахід відноситься до радіотехніки і може бути використане в різних радіотехнічних пристроях з електронним регулюванням коефіцієнта передачі і в пристроях автоматичного регулювання

Пристрій бездротового зв'язку

Винахід відноситься до пристрою бездротового зв'язку. Технічний результат полягає в зменшенні енергоспоживання, зменшення кількості складових частин і поліпшення продуктивності при прийомі сигналу, що досягається відсутністю модуля перемикання антени. Для цього пристрій бездротового зв'язку включає в себе підсилювач потужності (31), який підсилює сигнал передачі, схему (37) передачі, яка обробляє посилений сигнал передачі, антену (13) і блок (10e) управління, який по черзі активує і деактивує підсилювач потужності (31), причому схема (37) передачі налаштована для узгодження імпедансу між схемою (37) передачі і антеною (13), коли активується підсилювач потужності (31), і приведення імпедансу, спостережуваного від антени (13) в напрямку схеми (37) передачі, в високоимпедансное стан, коли деактивується підсилювач потужності (31). 4 н. і 14 з.п. ф-ли, 52 іл.

Хвилеводних аттенюатор

Винахід відноситься до волноводним аттенюаторам і може бути використане в хвилеводної, антеною і СВЧ вимірювальної техніки. Технічний результат - зменшення маси поглинаючого опору при роботі в низькочастотних діапазонах і забезпечення оптимального узгодження входу і виходу аттенюатора. Хвилеводних аттенюатор складається з відрізка прямокутного хвилеводу і поміщеного в нього об'ємного поглинаючого опору, що складається з основної прямокутної призми і елементів у вигляді додаткових прямокутних призм. Основна прямокутна призма і узгоджувальні елементи можуть бути виконані у вигляді однієї деталі, причому об'ємне поглинає опір виконано у вигляді основної прямокутної призми, при цьому основна призма хоча б з однією із сторін, паралельної поперечному перерізу прямокутного хвилеводу, пов'язана з согласующим елементом у вигляді додаткової прямокутної призми, конструктивно об'єднаних з основною призмою і виконаним з матеріалу основний призми, при цьому площина додаткової підстави призми збігається з площиною сполучення основний призми з хвилеводом. 4 з.п. ф-ли, 2 іл.

Широкосмугова микрополосковая узгоджена навантаження

Винахід відноситься до галузі радіотехніки і електроніки та може бути використано, зокрема, для поглинання електромагнітної хвилі на виході СВЧ-хвилеводного тракту. Технічний результат - розширення робочої смуги частот і зменшення поздовжніх розмірів узгодженої навантаження. Для цього микрополосковая узгоджена навантаження, що складається з послідовно з'єднаних відрізків микрополосковой ліній передачі, що містить не менше семи чергуються відрізків микрополосковой лінії передачі з різним поверхневим опором, крайніми з яких є відрізки з малим поверхневим опором, і не менше двох пар розімкнутих шлейфів, розташованих симетрично по різні сторони від микрополосковой лінії, кожен з яких виконаний у вигляді двох послідовно з'єднаних відрізків микрополосковой лінії передачі з великим і малим поверхневим опором. Поглинаючі властивості узгодженої навантаження визначаються сукупністю як поглинаючих властивостей відрізків микрополосковой лінії і шлейфів з великим поверхневим опором, так і топологією структури. Кількість відрізків смужкових ліній, їх топологія і електричні параметри вибираються таким Је заданих значень. 19 іл.

Спосіб вимірювання прямих втрат феритового циркулятора на високому рівні потужності

Винахід відноситься до техніки НВЧ і може використовуватися при випробуваннях феритових циркуляторов. Технічний результат - розширення функціональних можливостей шляхом оцінки зростання прямих втрат феритових приладів при високих рівнях потужності. Для цього вимірювання прямих втрат феритових циркуляторов проводиться на високому рівні потужності за допомогою подачі на вхід першого каналу феритового циркулятора НВЧ-сигналу, величину якого вибирають рівною 0,25÷0,33 від рівня робочої потужності, другий канал феритового циркулятора закорочувати, а значення прямих втрат вимірюють відношенням потужностей в третьому і першому каналах феритового циркулятора, деленним навпіл. 2 іл.

Микрополосковий широкосмуговий полосно-фільтр пропускає

Винахід відноситься до техніки надвисоких частот і може бути використане в селективних трактах приймальних і передавальних систем. Досягнутий технічний результат - розширення смуги робочих частот і поліпшення селективних властивостей. Микрополосковий широкосмуговий полосно-пропускає Фільтр містить діелектричну підкладку, на одну сторону якої нанесено заземляемое основу, а на другу нанесені полоскова провідники, один з провідників полоскових виконаний в вигляді нерегулярного меандру, причому, вздовж довгих сторін нанесені паралельно заземляемие на основу з боку вільних кінців меандру протяжні полоскова провідники, пов'язані електромагнітно як з меандром, так і з крайніми, протяжними полосковими провідниками, відрізняються від останніх довжиною і шириною. 2 іл.

Свч аттенюатор

Винахід відноситься до радіоелектроніці та вимірювальної техніки і може бути використане для заданого ослаблення НВЧ сигналу великої потужності в широкій смузі робочих частот. Технічний результат - підвищення допустимої потужності вхідного НВЧ сигналу в смузі робочих частот. Для цього СВЧ аттенюатор містить діелектричну підкладку 1, три плівкових резистора 2, 4 і 5, з'єднані між собою у вигляді симетричної Т-образної структури, в якій значення крайніх резисторів 2 і 5 дорівнюють один одному, а значення середньої резистора 4 вибрано з умови забезпечення режиму узгодження. При цьому плівкові резистори 2, 4 і 5 виконані у вигляді резистивної плівки, нанесеної на одну сторону діелектричної підкладки, на іншій стороні якої розташоване металізоване основу. В області високих частот плівкові резистори 2, 4 і 5 являють собою відрізки мікрополоскових ліній передачі однакової довжини з поздовжніми дисипативними втратами, причому крайні плівкові резистори 2 і 5 симетричної Т-образної структури з'єднані між собою відрізком микрополосковой лінії передачі без дисипативних втрат 3, довжина якого дорівнює довжині крайніх плівкових резисторів 2 і 5 і до середини якого п�ристанням. 7 іл.

Високочастотний аттенюатор

Винахід відноситься до високочастотним аттенюаторам. Технічний результат полягає в розширенні діапазону робочих частот пристрою і підвищення його швидкодії при роботі з імпульсними сигналами великої амплітуди. Високочастотний аттенюатор містить вхід і вихід пристрою, між якими включений перший резистор, джерело вхідної напруги, включений по змінному струму між загальною шиною і входом пристрою, другий резистор, включений по змінному струму між виходом пристрою і загальною шиною, еквівалентна ємність навантаження, включена по змінному струму між виходом пристрою і загальною шиною. В схему введено коригуючий конденсатор, увімкнений між входом пристрою і входом додаткового неінвертувального підсилювача струму, токовий вихід якого з'єднаний з виходом пристрою. 1 з.п. ф-ли, 9 іл.

Діодна зборка для свч захисних пристроїв

Винахід відноситься до галузі електронної техніки. Діодна збірка відноситься до елементів, призначеним для використання в надвисокочастотних захисних пристроях. Збірка містить одну або кілька пар електродів 3.1, 3.2, мають в кожній парі звернені один до одного поверхні з автоэлектронним покриттям 5.1, 5.2. Електроди встановлені так, що їх частини з зазначеними поверхнями і зазор між ними знаходяться в загальному для них вакуумированном обсязі, наприклад у скляній колбі 1. Відмінною особливістю конструкції є наявність вакуумного проміжку між електродами і відсутність речовини на шляху електронів завдяки реалізовуваного принципом дії з використанням явища автоэлектронной емісії. Діодні елементи в кожній парі конструктивно нероздільні. Кожній із зазначених пар електродів відповідає еквівалентна схема у вигляді двох діодів, з'єднаних зустрічно-паралельно. Технічний результат - зменшення часу відновлення для забезпечення розширення діапазону можливого використання в бік більш високих частот і в підвищенні надійності роботи за рахунок збільшення допустимої потужності впливає СВЧ випромінювання. 8 з.п. ф-ли, 9 іл.

Диференціальний аттенюатор з розширеним діапазоном робочих частот

Винахід відноситься до пристрою диференціального аттенюатора. Технічним результатом є підвищення швидкодії пристрою при роботі з імпульсними протифазними сигналами великої амплітуди. Пристрій містить перший (1) вхід, перший (2) вихід, перший (3) резистор, другої (4) резистор, загальну шину (5), перший (6) конденсатор навантаження, другої (4) резистор, перший (7) коригуючий конденсатор, другий (8) протифазний вхід, другий (9) протифазний вихід, третій (10) резистор, четвертий (11) резистор, другий (12) конденсатор навантаження, другий (13) коригуючий конденсатор. У влаштуванні його перший (2) вихід пов'язаний з входом (14) першого (15) додаткового неінвертувального підсилювача струму через перший (7) коригуючий конденсатор, токовий вихід першого (15) додаткового неінвертувального підсилювача струму з'єднаний з першим (2) виходом пристрою, другий (9) протифазний вихід пристрою пов'язаний з входом (16) другого (17) додаткового неінвертувального підсилювача струму через другий (13) коригуючий конденсатор, токовий вихід другого (17) додаткового неінвертувального підсилювача струму з'єднаний з другим (9) противофазним виходом пристрою. 1 з.п. ф-ли, 4 іл.

Полосно-фільтр пропускає

Винахід відноситься до техніки НВЧ. Технічний результат - збільшення крутизни схилу амплітудно-частотної характеристики фільтра. Для цього фільтр містить діелектричну пластину, одна поверхня якої металізовані, а на протилежну поверхню нанесені відрізки протяжних провідних смужок, розташованих паралельно і розділених діелектричними проміжками, вхідний і вихідний відрізки провідників полоскових, розташовані на тій же поверхні діелектричної пластини, що і відрізки протяжних провідних смужок, протяжна плоска діелектрична пластина, одна поверхня якої металізовані, а на протилежну поверхню нанесений відрізок провідної смужки. Довжина протяжної плоскої діелектричної пластини не менше суми ширін всіх відрізків провідних смужок і проміжків їх розділяють, а ширина повздовжньої смужки пластини становить від 0,1 до 0,2 довжини хвилі діелектричної пластини на центральній частоті фільтра, при цьому ширина відрізка провідної смужки, нанесеного на відповідну поверхню протяжної плоскої діелектричної пластини, дорівнює товщині протяжної плоскої діелектричної пластини, причому поверхня продящей смужки протяжної плоскої діелектричної пластини ізольований від відрізків протяжних провідних смужок діелектричної пластини. 3 іл.
Up!