Вирощування монокристалів and спрямована кристалізація евтектик або спрямоване розшаровуванню эвтектоидов and очищення матеріалів зонної плавкою and отримання гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою and монокристали або гомогенний полікристалічний матеріал з певною структурою and подальша обробка монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою and (C30B)

C30B              Вирощування монокристалів (з використанням надвисокого тиску, наприклад для утворення алмазів B01J3/06); спрямована кристалізація евтектик або спрямоване розшаровуванню эвтектоидов; очищення матеріалів зонної плавкою (зонна очищення металів або сплавів C22B); отримання гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою (лиття металів, лиття інших речовин тими ж способами або з використанням тих же пристроїв B22D; обробка пластмас B29; зміна фізичної структури металів або сплавів C21D,C22F); монокристали або гомогенний полікристалічний матеріал з певною структурою; подальша обробка монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою (для виготовлення напівпровідникових приладів або їх частин H01L);(2044)
C30B33 - Подальша обробка монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою (C30B31 має перевагу; шліфування, полірування B24; тонка механічна обробка дорогоцінного каміння, каміння для годинникових механізмів, кристалів B28D5)(299)
 
2550908.
Up!