Вирощування кристалів (C30)

C30            Вирощування кристалів (поділ кристалізацією взагалі B01D9)(2044)
C30B - Вирощування монокристалів (з використанням надвисокого тиску, наприклад для утворення алмазів B01J3/06); спрямована кристалізація евтектик або спрямоване розшаровуванню эвтектоидов; очищення матеріалів зонної плавкою (зонна очищення металів або сплавів C22B); отримання гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою (лиття металів, лиття інших речовин тими ж способами або з використанням тих же пристроїв B22D; обробка пластмас B29; зміна фізичної структури металів або сплавів C21D,C22F); монокристали або гомогенний полікристалічний матеріал з певною структурою; подальша обробка монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою (для виготовлення напівпровідникових приладів або їх частин H01L);(2044)
 
2551401.
Up!