Мікроструктурні технології (B81)

B81            Мікроструктурні технології(115)

Микроструктурная багатошарова екранно-вакуумна ізоляція космічних апаратів

Микроструктурная багатошарова екранно-вакуумна ізоляція космічних апаратів // 2555891
Винахід відноситься до багатошарової екранно-вакуумної ізоляції (ЕВІ) з микроструктурними елементами для космічних апаратів (КА). Кожен шар ЕВІ виконаний у вигляді підкладки, на якій закріплені тепловідбивні елементи у вигляді масиву прямокутних микропластин. Кожна микропластина закріплена на підкладці із зазором 10...20 мкм. На зверненій до КА стороні підкладки виконані канавки прямокутного або трапецеїдального перерізу, а також поздовжні поглиблення напівкруглого перерізу. Другий і наступні шари ЕВІ прикріплені до попередніх верствам через сферичні спейсери, встановлені між пластинами. Діаметр спейсерів становить не менше величини вказаного зазору. У місцях установки спейсерів нанесені шари діоксиду кремнію товщиною 0,5...1 мкм. На зовнішню поверхню микропластин і відкриті поверхні підкладки нанесено алюмінієве покриття товщиною 0,1...0,3 мкм з коеф. відображення 0,7-0,9. Микропластини м. б. виконані биморфними. При виготовленні микропластин електропровідними на поверхні кремнієвої підкладки м. б. виконані струмопровідні шини. Технічний результат винаходу полягає в зниженні маси і габаритних розмірів ЕВІ і КА. 6 з.п. ф-ли, 7 іл.

Спосіб виготовлення термостійкою нано - і мікроелектромеханічну системи датчика механічних величин

Спосіб виготовлення термостійкою нано - і мікроелектромеханічну системи датчика механічних величин // 2548380
Винахід відноситься до вимірювальної техніці. З його допомогою представляється можливим розширити температурний діапазон роботи датчика на основі тонкоплівкової нано - і мікроелектромеханічну системи, підвищити відтворюваність таких параметрів тензорезисторів, як електричний опір і температурний коефіцієнт опору, знизити температурну чутливість датчиків. У способі виготовлення термостійкою нано - і мікроелектромеханічну системи високотемпературного датчика механічних величин на планарній стороні пружного елемента методами вакуумного розпилення утворюють гетерогенну структуру з нано - і микроразмерних плівок матеріалів, містить діелектричні тонкоплівочні, тензорезистивні і контактні шари. Формують тензоэлементи - тензорезистори, контактні провідники і контактні площадки до них. Тензорезистивний шар формують методом магнетронного розпилення у вакуумній камері з одночасним використанням двох мішеней з нікелю і титану. Пружний елемент зі сформованим на ньому діелектричним шаром встановлюють на карусель, нагрівають, створюють тиск аргону, а потім обертають карусель з пружним елементом при певному сним на нього тензорезистивним шаром витримують у вакуумі при підвищеній температурі. 6 іл., 1 табл.

Композиційний микромеханический компонент і спосіб його виготовлення

Композиційний микромеханический компонент і спосіб його виготовлення // 2544289
Використання: для композиційного мікромеханічних компонента. Суть винаходу полягає в тому, що виготовлення композиційного мікромеханічних компонента включає стадію забезпечення підкладкою, стадію витравлювання на верхньому шарі щонайменше одного малюнка до проміжного шару, стадію нанесення на верхню частину зазначеної підкладки електроізоляційного покриття, стадію спрямованого травлення зазначеного покриття та зазначеного проміжного шару, стадію виконання електроосадження при приєднанні електрода до электропроводному нижнього шару підкладки, відділення композиційного компонента від підкладки. Технічний результат: поліпшення трібологічних властивостей кремнію, спрощення способу виготовлення, забезпечення можливості використання способу для мікромеханічних компонентів з високим коефіцієнтом гнучкості. 14 іл.

Сухі клеї

Сухі клеї // 2543188
Сухий клей, що включає микроструктурную і наноструктурную поверхню та еластичну поверхню, що має твердість по Шору А близько 60 або менше. При цьому микроструктурная і наноструктурная поверхню і еластична поверхня здатні утворювати сухе клейове зчеплення при контакті один з одним за допомогою оборотного механічного зачеплення еластичній поверхні в мікропорах і нанопорах. Технічний результат, що досягається при використанні заявленого клею, забезпечує підвищення сухий адгезії при підвищенні товщини еластичній поверхні. 4 н. і 18 з.п. ф-ли, 4 табл., 27 іл., 15 пр.

Спосіб і пристрій усунення залипання електродів в інерціальних системах мікроелектромеханічних

Спосіб і пристрій усунення залипання електродів в інерціальних системах мікроелектромеханічних // 2542590
Винахід відноситься до області інерційних мікроелектромеханічних систем, що використовуються в якості датчиків перевантажень, таких як, наприклад, акселерометри чи гіроскопи. Спосіб усунення залипання електродів в инерциальном микроэлектромеханическом пристрої, що містить: рухливу масу (150), підвішену на каркасі за допомогою пружинного пристрою (115) і містить щонайменше один рухливий електрод; нерухомий електрод, жорстко прикріплений до каркаса, причому нерухомий електрод взаємодіє з рухомим електродом, в результаті чого формується пара електродів. Причому спосіб включає виявлення пари залипших електродів, для яких злипання характеризується силою прилипання (Fs), і стадію розподілу, що включає подачу протягом заданого інтервалу часу заданої напруги між електродами пари електродів для створення електростатичної сили, яка забезпечує зміщення рухомої маси в напрямку дії сили прилипання. 3 н. і 2 з.п. ф-ли, 4 іл.

Електростатичний мемс ключ

Електростатичний мемс ключ // 2541439
Винахід відноситься до мікроструктурним мікроелектромеханічних систем. Електростатичний микроэлектромеханический ключ містить кремнієвий кристал зі сформованим рухомим електродом у вигляді консолі з виконаними в ній симетричними щілиноподібними отворами, що утворюють гнучкі підтримують балки різної довжини, перпендикулярні один одному, і підкладку, на якій розміщений, щонайменше, один нерухомий електрод і струмові шини, з'єднану з кремнієвим кристалом з утворенням зазору між рухомим та нерухомим електродами, причому рухливий електрод забезпечений шунтом, закорачивающим струмові шини при контакті і розташованим зі зміщенням відносно центру в сторону від вільного краю рухомого електрода. Технічний результат полягає в зменшенні напруги управління МЕМС ключем і збільшення максимально допустимого струму комутації. 1 з.п. ф-ли, 3 іл.

Микросистемний ємнісний датчик вимірювання фізичних величин

Микросистемний ємнісний датчик вимірювання фізичних величин // 2541415
Винахід відноситься до галузі мікроелектроніки - пристроїв микросистемной техніки, виконаним за технологіями микрообработки кремнію, і може виконувати роль виконавчого елемента датчикової апаратури в частині вимірювання параметрів переміщення, прискорення, температури, механічної сили, маси, електричної потужності, потоку, освітленості і вологості. Технічним результатом заявленого винаходу є: - поєднання в одній конструкції датчиків різних фізичних величин, зокрема: переміщення, прискорення, температури, механічної сили, маси, електричної потужності, потоку, освітленості і вологості; - можливість функціонування в умовах відкритого космосу і стійкість до жорстких температурних умов експлуатації; - можливість виготовлення датчика груповими методами за стандартними технологіями микрообработки кремнію і механообробки елементів конструкції; - широкі можливості по уніфікації та створення типорозмірного ряду датчиків з різними межами вимірювання необхідних фізичних величин; - можливість налаштування датчика за рахунок активного режиму роботи; - застосування в якості датчика зворотнього зв'язку для систем на основі рухливих термомеерения фізичних величин включає: - підстава з діелектричного матеріалу, - один або більше виконавчих елементів у вигляді рухливих термомеханічних микроактюаторов, розташованих на підставі; при цьому над шаром полиимида рухомих термомеханічних микроактюаторов на протилежних бічних гранях кремнієвих канавок, заповнених полиимидом, сформовані металеві обкладки конденсатора, що паралельно з'єднані між собою провідниками, що йдуть уздовж рухомого хвостовика термомеханічного микроактюатора до його заснування; на підставі та/або всередині підстави сформовані металізовані доріжки для електричного контакту до майданчиків рухомого термомеханічного микроактюатора, виконаним з можливістю вимірювання ємності між обкладками сформованого на рухомому термомеханічному микроактюаторе конденсатора. 3 з.п. ф-ли, 1 іл.

Модулированно-легований польовий транзистор

Модулированно-легований польовий транзистор // 2539754
Винахід відноситься до електронної техніки. Модулированно-легований польовий транзистор містить фланець, п'єдестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферний шар, витік, затвор, сток та омічні контакти. П'єдестал виготовлений з теплопровідних шару полікристалічного алмазу. Поверх п'єдесталу розміщений кристал транзистора, що містить послідовно розміщені базову основу з GaAs, буферні шари, гетероэпитаксиальную гетероструктур на основі AlGaAs/GaAs, а на поверхні гетероэпитаксиальной структури, між витоком, затвором і стоком, послідовно розміщені шар діелектричного покриття і два бар'єрних шару, виконані з двоокису гафнію та оксиду металу, при цьому бар'єрні шари виконані з сумарною товщиною 1,0-4,0 нм, в області затвора бар'єрні шари розміщені під затвором, безпосередньо на эпитаксиальной структурі у вигляді градієнтного шару GaAs n-типу провідності. Технічний результат полягає в зниженні впливу DX центрів на приладові характеристики, збільшенні рухливості основних носіїв зарядів, в забезпеченні мінімальних витоків струму затвора, у підвищенні тепловідведення від п'єдесталу, в досягненні найменшого коефіцієнта шуму ГГц-діапазоні год

Кулонометричний нанотолщиномер

Кулонометричний нанотолщиномер // 2538425
Винахід відноситься до галузі вимірювальної техніки і може знайти застосування при вимірюванні товщини тонкоплівкових структур. Метою винаходу є спрощення процесів калібрування кулонометрического нанотолщиномера та отримання результату вимірювання товщини покриття. Кулонометричний нанотолщиномер містить двухелектродную електролітичну комірку, підключена до джерела струму високої стабільності, джерело електроліту і прилад, що реєструє зміни напруги в колі електродів електролітичної комірки. Новим у кулонометрическом нанотолщиномере є те, що джерело електроліту оснащений вузлом його прецизійного дозування, а двухэлектродная електролітична комірка, що складається з платинового катода і анода, що представляє собою шарувату металеве покриття досліджуваного зразка, містить вузол ємнісний зворотного зв'язку, утворений металевим покриттям досліджуваної ділянки і платиновим катодом, дані від якого дозволяють сформувати краплю оптимальної форми з допомогою пристрої прийому та обробки інформації, що складається з персонального комп'ютера, плат вводу-виводу і відповідного програмного забезпечення, що дозволяє також анализя визначення товщин та меж розділу шаруватої структури в нанометрах. 1 іл.

Пристрій контролю герметичності мікроструктур

Пристрій контролю герметичності мікроструктур // 2538420
Винахід відноситься до техніки контролю герметичності мікроелектромеханічних і мікроелектронних пристроїв, для функціонування яких потрібно герметичний корпус з внутрішньою порожниною. Сутність: пристрій включає камеру експозиції мікроструктур у пробному газі, спектрометр, який працює в ІЧ-діапазоні, і блок управління позиціонуванням хвилеводів. В камері експозиції розміщені два хвилеводу, один з яких використовують для підведення ІЧ-випромінювання від спектрометра до мікроструктурі, а інший - для прийому і передачі випромінювання, що пройшов через мікроструктуру, до ІК-спектрометру. Технічний результат: вимірювання кількісних характеристик натікання з високою точністю, автоматичне тестування мікроструктур груповим способом, в тому числі мікроструктур, герметизованих інтегрально «пластина-до-пластини», вимірювання великих теч у малих обсягах, виявлення прихованих дефектів корпусірованія. 1 з.п. ф-ли, 1 іл.

Спосіб з'єднання, герметична конструкція, виготовлена даними способом, і система герметичних конструкцій

Спосіб з'єднання, герметична конструкція, виготовлена даними способом, і система герметичних конструкцій // 2536076
Використання: для з'єднання герметичних корпусів пристроїв на базі мікроелектромеханічних систем (МЕМС). Суть винаходу полягає в тому, що формування на поверхні як першої пластини, так і другої пластини стопи з першого металу, схильного до окислення на повітрі; формування на верхній поверхні кожної стопи з першого металу другого шару металу, температура плавлення якого нижче, ніж у першого металу (причому товщину шару другого металу вибирають достатньою для запобігання окислення верхній поверхні першого металу); приведення другого шару металу на першій пластині в контакт з шаром другого металу на другій пластині, щоб утворити зону з'єднання, і додаток до першої та другої пластин тиску з'єднання при температурі зони з'єднання, яка нижче температури плавлення другого металу, щоб ініціювати з'єднання, причому тиск з'єднання вибирають достатнім для деформування шарів другого металу в зоні з'єднання. Технічний результат: забезпечення можливості створення герметичного корпусу. 12 з.п. Ф-ли, 5 іл.

Багатофункціональна сенсорна система микроэлектромеханическая

Багатофункціональна сенсорна система микроэлектромеханическая // 2533325
Багатофункціональна сенсорна микроэлектромеханическая система (МЕМС) призначена для використання в газоанализаторах, в медицині в якості біосенсорів, в мікроелектроніці та інших високотехнологічних галузях для контролю технологічних процесів. Багатофункціональна сенсорна микроэлектромеханическая система містить групу резонаторів, закріплених першими кінцями на першому тримачі, сполученому з підкладкою. Причому резонатори не всі паралельні один одному. Використання резонатора, який за рахунок свого вигину допомогою п'єзокераміки може змінювати вихідну резонансну частоту непараллельного йому резонатора, буде підвищувати точність вимірювання завдяки різним вихідним характеристикам вимірювання наявності одного і того ж кількості адсорбованих частинок на шарі. Технічний результат винаходу полягає в підвищенні точності аналізу і розширення функціональних можливостей пристрою. 10 іл.

Пристрій захисту первинного перетворювача прискорення

Пристрій захисту первинного перетворювача прискорення // 2530435
Винахід відноситься до систем захисту мікромеханічних систем і призначене для забезпечення захисту первинних перетворювачів прискорення (ППУ) від дії зовнішніх дестабілізуючих факторів (ВДФ). Пристрій захисту ППУ містить корпус, на якому встановлено основа, виконана з двох сполучених між собою нижньої і верхньої частин, на останній з якої закріплений ППУ, нижня частина підстави виконана у вигляді порожнього металевого циліндра, на бічній поверхні якого, по колу, виконано не менше двох рядів наскрізних поперечних прорізів з утворенням в кожному ряду між прорізами ідентичних перемичок. При цьому прорізи одного ряду симетрично зміщені відносно прорізів іншого ряду, у кожній з яких виконані два ідентичних наскрізних отворів, осі яких лежать в одній радіальній площині і утворюють між собою кут не більше 2π/n, де n - кількість прорізів, причому центри цих отворів зміщені вздовж прорізи щодо її початку і кінця. Технічний результат - підвищення стійкості і міцності первинних перетворювачів прискорення до ВДФ і підвищення міцності верхньої частини основи, на якому розміщується ППУ. 1 іл.

Пристрій для аналізів і спосіб виконання біологічних аналізів

Пристрій для аналізів і спосіб виконання біологічних аналізів // 2527686
Група винаходів відноситься до галузі медицини і може бути використана для мультиплексного аналізу. Аналізуюче пристрій містить реакційний простір, два набори індивідуально закодованих микроносителей (2), причому кожен микроноситель є функционализирующим, а кожен микроноситель одного з щонайменше двох наборів має однакову функционализацию, в якому реакційний простір є микроканалом. При цьому микроносители (2) мають форму відносно перерізу микроканала (1), яка дозволяє мати по всій довжині микроканала (1) два яких-небудь микроносителя (2), розташованих пліч-о-пліч без зіткнення один з одним і без зіткнення з периметром микроканала (1). При цьому пристрій містить засіб (4) для обмеження переміщення микроносителей (2) в поздовжньому напрямку микроканала (1), поряд з тим, що рідини все ще можуть протікати, а код микроносителей є вказує на його функционализацию. Група винаходів відноситься також до способу приведення мультиплексного аналізу і мікросхемі для мультиплексних аналізів. Група винаходів забезпечує прискорення масопереносу, зменшення кількості зразків, спрощує підготовку і

Спосіб складання чутливого елемента датчика мікромеханічних

Спосіб складання чутливого елемента датчика мікромеханічних // 2525715
Винахід відноситься до галузі приладобудування і може бути використане при виготовленні чутливих елементів, застосовуваних при виготовленні мікромеханічних акселерометрів, микрогироскопов, інтегральних датчиків тиску. Завданням, на вирішення якої спрямовано винахід, є спрощення та зменшення технологічного циклу складання чутливого елемента мікромеханічних датчика. У способі складання чутливого елемента мікромеханічних датчика поєднують скляну обкладку і кристал з монокристалічного кремнію, встановлюють і кріплять у спеціальному пристосуванні, розігрівають, витримують при заданій температурі і подають необхідну напругу. При цьому поєднують одночасно дві скляні обкладки і кристал з монокристалічного кремнію, що знаходиться між ними, розігрівають до температури 410°C, витримують 1,5 години, подають напругу на обидві обкладки не менше, ніж на дві хвилини, відключають напругу, змінюють полярність напруги, знову подають напругу і повторюють цикл зміни полярності не менше трьох разів. 1 іл.

Спосіб складання мікроелектромеханічних пристроїв

Спосіб складання мікроелектромеханічних пристроїв // 2525684
Використання: область мікроелектроніки, а саме збірка мікроелектромеханічних пристроїв і систем (МЕМС) на основі п'єзоелектричного кварцу. Технічний результат: підвищення надійності функціонування в умовах високих комплексних зовнішніх впливів. Сутність: спосіб включає виконання на контактних майданчиках первинного перетворювача (ПП) кристалічного типу об'ємних токовиводів (ІВ) методом термозвуковой мікрозварювання з подальшою установкою ПП на плату вторинного перетворювача МЕМС. При цьому попередньо здійснюють високотемпературну збірку ПП, що складається з чутливого елемента ЧЕ та інших функціональних елементів МЕМС, яку проводять при температурі не більше 500°C, після чого до об'ємним токовиводам, виконаним на контактних майданчиках ПП, виготовлених з чергуються металевих шарів Cr - Au товщиною не більше 0,4 мкм, приварюють токовиводи у вигляді дроту із золота методом контактного зварювання. Потім отриманий зазначеним чином ПП приєднують сформованими токовиводамі у вигляді дроту методом контактного зварювання до контактним майданчикам вторинного перетворювача (ВП) МЕМС. 2 іл.

Спосіб і пристрій для регулювання температури і витрати текучого середовища

Спосіб і пристрій для регулювання температури і витрати текучого середовища // 2521737
Винахід відноситься до галузі приладобудування і може бути використане при регулюванні витрати і температури текучого середовища. Матеріали, компоненти і способи згідно з цим винаходу спрямовані на виготовлення та використання макромасштабних каналів, що містять текуче середовище, температура і витрата якої регулюється за допомогою геометричних розмірів макромасштабного каналу і конфігурації принаймні частини стінки макромасштабного каналу і складових потоку частинок, що утворюють текуче середовище. Крім того, стінка макромасштабного каналу і потік складових частинок мають таку конфігурацію, щоб зіткнення між складовими частинками і стінкою переважно супроводжувалися дзеркальним відскоком. Технічний результат - підвищення точності регулювання температури і витрати текучого середовища. 4 н. і 50 з.п. ф-ли, 18 іл.

Микросистемное пристрій терморегуляції поверхні космічних апаратів

Микросистемное пристрій терморегуляції поверхні космічних апаратів // 2518258
Винахід відноситься до галузі мікроелектроніки - пристроїв микросистемной техніки, виконаним за технологіями микрообработки кремнію, і може бути використане при створенні систем терморегуляції нагрівається поверхні космічних апаратів або інших систем, що забезпечують микроперемещения в горизонтальній площині плоскої функціональної несучої поверхні щодо нерухомого підстави з розташованими на ньому термомеханічними микроактюаторами, що складаються як мінімум з двох шарів термодеформируемого матеріалу. Заявлене микросистемное пристрій терморегуляції поверхні космічного апарата включає: підстава з діелектричного матеріалу з низьким коефіцієнтом теплопровідності з отвором прямокутної форми; як мінімум два ряди незалежних паралельних каналу управління з микроактюаторов, розташовані паралельно один одному уздовж підстави (як це показано на фіг.1, б); відображає екран, розташований над микроактюаторами; металізовані доріжки з електричними контактами на підставі та/або всередині нього для електричного контакту з микроактюаторами; напрямні відбиває екрана, закріплені на підставі; поліїмидні прЂюатори в ряду повернені один до одного під кутом 180 градусів, кількість микроактюаторов в кожному ряду одно, кількість рядів - парна кількість, а кількість микроактюаторов в кожному ряду не менше 6, микроактюатори виконані з можливістю кутового переміщення рухомих елементів на кут не менше 30 градусів; відображає екран розташований над микроактюаторами так, що вісь симетрії відбиває екрана рівновіддалена від кожної пари рядів микроактюаторов (як це показано на фіг.1, б); вільна поверхня основи покрита з обох сторін матеріалом з високим коефіцієнтом відбиття; зусилля на рухомих елементах микроактюаторов таке, що сумарно для всіх микроактюаторов воно виявляється достатньою для подолання сили тертя між відображає екраном і микроактюаторами. Технічним результатом заявленого винаходу є: - зменшення масогабаритних параметрів за рахунок лінійного переміщення рухомого елемента в одній площині; - працездатність системи в умовах відкритого космосу, а також стійкість до жорстких температурних умов експлуатації; - зменшення втрат на тертя між елементами конструкції; - збільшення ефективності роботи системи за рахунок активного управління і за рахунок повного закриття захищається поверхнения микроприводов, стійких до багаторазових вигинів; - зменшення енергоспоживання за рахунок режиму роботи, який передбачає активність системи, і, як наслідок, енергоспоживання, лише в момент здійснення пересування екрану, тобто в момент зміни температурного режиму захищеного об'єкта та/або навколишнього середовища; - можливість виготовлення систем терморегуляції груповими методами за стандартними технологіями микрообработки кремнію і механообробки елементів конструкції. 14 з.п. ф-ли, 5 іл.

Датчик тиску на основі нано - і мікроелектромеханічну системи для прецизійних вимірювань

Датчик тиску на основі нано - і мікроелектромеханічну системи для прецизійних вимірювань // 2516375
Винахід відноситься до вимірювальної техніки і може бути використане для прецизійних вимірювань тиску рідких та газоподібних середовищ. Сутність: датчик містить корпус, встановлену в ньому нано - і микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), що складається з пружного елемента у вигляді мембрани з жорстким центром, забитої по контуру в опорна підстава, утвореної на ній гетерогенної структури тонких плівок матеріалів, герметизуючої контактної колодки і з'єднувальних провідників. Сформовані в гетерогенній структурі радіальні тензорезистори, встановлені з двох кіл, складаються з ідентичних тензоэлементов у формі квадратів, сполучених тонкоплівковими перемичками і включені в мостову вимірювальну ланцюг. Центри перше і друге тензоэлементов розміщені по колах з радіусами, визначеними відповідним співвідношенням. Між мембраною і жорстким центром, а також мембраною і опорним підставою виконані з певним радіусом закруглення. Технічний результат: підвищення точності і технологічності. 1 табл., 9 іл.

Застосування композитів з вирівняними з нанотрубками для теплопередачі в свердловинах

Застосування композитів з вирівняними з нанотрубками для теплопередачі в свердловинах // 2516078
Винахід відноситься до теплотехніці і може бути використане при відводі тепла від тепловиділяючих елементів в свердловинах. У пристрої, що містить анізотропний нанокомпозиционний елемент, що має теплову зв'язок з тепловиділяючим елементом для відведення тепла від тепловиділяючого елемента уздовж заданого напрямку, анізотропний нанокомпозиционний елемент формує кабель і включає теплопровідні наночастинки, впроваджені в матеріал-основу і вирівняні в ньому для формування теплопроводу з можливістю передачі тепла від першого кінця кабелю до його другого кінця, і при цьому теплопровідність в заданому напрямку більше, ніж теплопровідність в напрямку, перпендикулярному до цього заданому напрямку, а матеріал-основа налаштований з можливістю контакту із тепловиділяючим і теплопоглощающим елементами. Винахід також включає спосіб відведення тепла і інструмент для використання в свердловині. Технічний результат - підвищення працездатності свердловинного інструменту. 3 н. і 11 з.п. ф-ли, 5 іл.

Спосіб виготовлення тензорезисторні датчика тиску на основі тонкоплівкової нано - і мікроелектромеханічну системи

Спосіб виготовлення тензорезисторні датчика тиску на основі тонкоплівкової нано - і мікроелектромеханічну системи // 2512142
Винахід відноситься до вимірювальної техніки, зокрема до датчиків тиску на основі тонкоплівкових нано - і микроэлектрических систем (НиМЭМС), призначених для використання в системах керування, контролю і діагностики об'єктів тривалого функціонування. Спосіб виготовлення полягає в поліруванні поверхні мембрани, формуванні на ній діелектричної плівки і тензоэлементов з низькоомними перемичками і контактними майданчиками між ними з використанням шаблону тензочутливого шару, що має конфігурацію тензоэлементов в зонах, що суміщаються з низькоомними перемичками і контактними майданчиками. При цьому формування тензоэлементов з низькоомними перемичками і контактними майданчиками між ними проводять в областях, в яких впливають на них при експлуатації деформації і температури задовольняють відповідним співвідношенням. Після формування вимірюють розміри та площа елементів і переходів НиМЭМС із урахуванням кількості, розмірів та розподілу дефектів, потім обчислюють за ним критерій тимчасової стабільності за відповідним співвідношенням. Якщо критерій тимчасової стабільності менше, ніж гранично допустиме значення критерію з тимчасової�міра датчика, то дану збірку передають на наступні операції. Технічний результат полягає в підвищенні тимчасової стабільності, ресурсу та терміну служби. 2 іл.
Спосіб підвищення тепловіддачі з допомогою микротурбулизирующих частинок // 2511806
Винахід відноситься до галузі теплотехніки і гальванотехніки і може використовуватися в системах підвищення тепловіддачі для поліпшення характеристик тепловіддачі на різних поверхнях пристрою теплопередачі. Це досягається використанням у якості микротурбулизирующих частинок вуглецевих нанотрубок (ВНТ) «Таунит», а в якості зв'язує середовища - оксидних гальванічних покриттів. Прикріплення безлічі микротурбулизирующих частинок на теплоотдающей поверхні здійснюють за допомогою нанесення оксидних покриттів, наномодифицирование яких здійснюють введенням в електроліт оксидування УНТ «Таунит» за допомогою ультразвукового диспергатора. Даний спосіб забезпечує інтенсифікацію теплообмінних процесів на тепловіддаючих алюмінієвих поверхнях, а також простоту реалізації. 2 табл., 1 з.п. ф-ли.

Електронна схема та/або микроэлектромеханическая система з радіаційним джерелом рухомих носіїв заряду

Електронна схема та/або микроэлектромеханическая система з радіаційним джерелом рухомих носіїв заряду // 2511614
Винахід відноситься до електроніки і мікроелектромеханічних систем. Схема електронна або микроэлектромеханическая з радіаційним джерелом рухомих носіїв заряду (изистор) містить, принаймні, дві області - першу і другу. Перша область складається з радіоізотопного матеріалу, що випускає за рахунок радіоактивного випромінювання рухливі носії заряду, а друга область складається з нерадиоизотопного матеріалу, що приймає впроваджувані у неї зазначені вище рухливі носії заряду. Ці дві області мають або окремо відносно один одного на відстані, не більшій, ніж довжина пробігу вищевказаних рухомих носіїв заряду, испущенних першою областю радіоізотопного матеріалу, або першу область радіоізотопного матеріалу, що випускає рухливі носії заряду, розташовують на поверхні другої області нерадиоизотопного матеріалу, або першу область радіоізотопного матеріалу, що випускає рухливі носії заряду, розташовують у розсіяному вигляді або у вигляді об'єднаної структури всередині другої області нерадиоизотопного матеріалу. Винахід забезпечує можливість створення активного приладу изистора, що володіє постійною готовністю до рабз нього певної величини рівня струму рухомих носіїв заряду. 12 з.п. ф-ли, 1 табл., 6 іл., 1 пр.

Спосіб виготовлення мікроелектромеханічних структур і пристрій для його здійснення

Спосіб виготовлення мікроелектромеханічних структур і пристрій для його здійснення // 2511282
Винахід відноситься до приладобудуванню і може бути використане при виготовленні напівпровідникових мікроелектромеханічних пристроїв, а саме малогабаритних датчиків фізичних величин. Винахід забезпечує збільшення кількості придатних мікроелектромеханічних структур за рахунок удосконалення способу електростатичної анодної посадки. У способі виготовлення мікроелектромеханічних структур шляхом анодного з'єднання (анодної зварювання) двошарової структури з пластини кремнію з попередньо очищеної скляній підкладкою при нагріванні їх у вакуумі та додатку напруги, попередньо пластину з кремнію поділяють на кристали, формують пари структур кремній - скло, розміщують їх у касету вертикально, притискаючи один до одного, поміщають в касету графітовий нагрівач і нагрівають при температурі від 370°С до 400°С, після чого подають анодна напруга на скло в інтервалі від 200 до 500 вольт для формування шару об'ємного заряду в склі, прилеглому до поверхні кремнію. У пристрої для виготовлення мікроелектромеханічних структур графітовий столик виконують з бічними стінками, в яких, як і в основі графітового столика, встановлено не мо подачі анодної напруги, на підставі столика розташована касета, в якій розміщені пари структур кремній - скло. 2 н. і 1 з.п. ф-ли, 4 іл.

Спосіб виготовлення мікроелектромеханічних реле

Спосіб виготовлення мікроелектромеханічних реле // 2511272
Винахід відноситься до микросистемной техніки і може бути використане при виготовленні мікроелектромеханічних реле. Спосіб виготовлення мікроелектромеханічних реле включає послідовне формування на підкладці контактної металізації, що складається з керуючого електрода, двох нижніх комутованих контактів, розташованих з двох сторін від керуючого електрода на певній відстані, «жертовного» шару, верхнього рухомого контакту, розташованого над керуючим електродом і нижніми комутованими контактами, опор для підвісу рухомого верхнього контакту. «Жертовний» шар формують з не менше трьох «жертовних» підшару в декілька стадій з використанням двох позитивних фоторезистів з різною величиною в'язкості, формують отвори для нижніх комутованих контактів і опор для підвісу рухомого верхнього контакту методом фотолітографії, на кінцевій стадії проводиться термообробка «жертовного» шару. Технічним результатом заявленого винаходу є отримання високого рівня планарности «жертовного» шару, що підвищує відтворюваність технологічного процесу виготовлення мікроелектромеханічних реле. 4 з.п. ф-ли, 9 іл.

Спосіб виготовлення микроэлектромеханического ключа для захисту інформаційно-телекомунікаційної апаратури космічних апаратів при електромагнітному старті

Спосіб виготовлення микроэлектромеханического ключа для захисту інформаційно-телекомунікаційної апаратури космічних апаратів при електромагнітному старті // 2509051
Винахід відноситься до галузі космічного приладобудування та мікроелектроніки, і може бути використане для систем захисту інформації інформаційно-телекомунікаційної апаратури ІТА малих безпілотних космічних апаратів від високих стартових перевантажень на заданих граничних значеннях. Винахід забезпечує підвищення технологічності, зниження трудомісткості способу отримання груп мікроелектромеханічних ключів, підвищення надійності спрацьовування при досягненні порогових величин прискорень при электромагнитоэлектрическом старті малих безпілотних космічних апаратів. В способі отримання микроэлектромеханического ключа, що є основою системи захисту інформаційно-телекомунікаційної апаратури космічних апаратів при електромагнітному старті з перевантаженнями від кількох тисяч до десятків тисяч одиниць прискорення вільного падіння тіла, формують чутливий блок, що складається з балки і опор, що примикає при дії прискорення до підкладці з допомогою контактних елементів, формуючи при цьому сигнал, що вказує на поріг величини прискорення, по якому судять про перевантаження апаратури, формують травленням через маску на плоскій напівпровідниковій підкладці про� допомогою двошарової системи металів залізо-нікель, які осаджують один на одного в єдиному технологічному циклі термічного випаровування у вакуумі, які потім травлять через маску в водному розчині соляної кислоти до отримання заданої форми чутливого блоку в одному технологічному циклі. 4 з.п. ф-ли, 3 іл., 2 табл.

Система шестерень для годинника

Система шестерень для годинника // 2498383
Винахід відноситься до області годинникової промисловості, а саме до системи шестерень, яка включає в себе кріпильний пристрій, що запобігає виникненню напруги зсуву, що забезпечується за рахунок того, що система шестерень включає в себе шестерню і зубчасте колесо, співвісно встановлені щодо поворотної осі, і кріпильний пристрій між вищевказаної шестернею і вищевказаним колесом для запобігання відносного переміщення одного з них щодо іншої. При цьому згідно винаходу кріпильний пристрій включає в себе фасонне поглиблення, форма якого, щонайменше, частково узгоджується з перерізом вищевказаної секції і яке виконано на маточині вищевказаного колеса для кріплення вищевказаної шестерні і колеса при обертанні. 3 н. і 13 з.п. ф-ли, 9 іл.

Микроэлектромеханический ракетний двигун

Микроэлектромеханический ракетний двигун // 2498103
Микроэлектромеханический ракетний двигун призначений для використання в складі космічних розгінних блоків, наносупутників. Микроэлетромеханический ракетний двигун виконаний у вигляді структури з напівпровідникових кристалів кремнію, розташованих один над іншим, в одному з яких виконана камера згоряння з паливним елементом, і містить блок підпалу палива з металевими провідниками. Камера згоряння з паливним елементом виконана у вигляді нанокристалічного пористого кремнію глибиною не більш 60 мкм, пори якого насичені воднем і допованим нітратом калію. У другій пластині виконано сопло, розташоване симетрично нанокристаллическому пористого кремнію і сочленное з ним через металеві провідники. Винахід направлено на спрощення і здешевлення процесу виготовлення двигуна, забезпечення високої надійності двигуна з супутнім роботі двигуна температур, механічних навантажень, режиму роботи двигуна і забезпечення нормальної газодинамічної функції за рахунок запропонованої конструкції і палива. 1 іл.

Спосіб отримання високопористого покриття на основі подвійних оксидів кремнію і марганцю

Спосіб отримання високопористого покриття на основі подвійних оксидів кремнію і марганцю // 2496712
Винахід відноситься до технології отримання пористих покриттів на основі подвійних систем оксидів, застосовуваних у швидко розвиваються областях електронної техніки та світлотехнічної промисловості, виробництві матеріалів каталізаторів, як функціонально-чутливих, декоративних, фільтруючих і перерозподіляють випромінювання покриттів. Спосіб включає приготування плівкоутворювальної розчину з подальшим нанесенням його на поверхню підкладок, сушінням, відпалом та охолодженням. Свіжоприготований розчин плівкоутворюючих витримують протягом доби 8-13 при температурі 6-8°С, сушку проводять при температурі 60°С протягом 30-40 хвилин з наступним нелінійним нагріванням до 800-900°С в атмосфері повітря - в перші 15-20 хвилин швидкість нагріву, максимальна і становить 22°С/хв, наступні 17 хвилин швидкість нагріву підтримують на рівні 18°С/хв, потім протягом 12 хвилин швидкість нагріву складає 12°С/хв, останні 40-20 хвилин швидкість нагріву підтримують на рівні 0,5°С/хв і витримкою при 800-900°С протягом 1 години, поступовим охолодженням в умовах природного охолодження муфельній печі при наступному співвідношенні компонентів в плівкоутворювальній розчині, мас.%: тетраетоксісілан 22стальное. Технічний результат - спрощення способу отримання високопористого покриття, більш високі значення коефіцієнта відбиття у видимому діапазоні довжин хвиль і коефіцієнта пропускання близького ультрафіолетового випромінювання з одночасним поєднанням невисоких значень показника заломлення і товщини. 1 іл., 2 пр.

Спосіб отримання планарного хвилеводу оксиду цинку в ниобате літію

Спосіб отримання планарного хвилеводу оксиду цинку в ниобате літію // 2487084
Винахід відноситься до способу одержання оптичних планарних хвилеводів ниобате літію для інтегральної та нелінійної оптики

Спосіб виготовлення наноэлектромеханического перетворювача і наноэлектромеханический перетворювач з емісією автоэлектронной

Спосіб виготовлення наноэлектромеханического перетворювача і наноэлектромеханический перетворювач з емісією автоэлектронной // 2484483
Винахід відноситься до галузі вимірювальної техніки, зокрема до засобів вимірювання лінійних прискорень, кутових швидкостей та теплових полів малої інтенсивності в інфрачервоній і терагерцовой області

Конструкція та технологія виготовлення інтегрального мікромеханічних реле з рухомим електродом у вигляді структури з п'єзоелектричним шаром

Конструкція та технологія виготовлення інтегрального мікромеханічних реле з рухомим електродом у вигляді структури з п'єзоелектричним шаром // 2481675
Винахід відноситься до галузі електронної техніки і може бути використане при виготовленні приладів мікроелектромеханічних систем, зокрема інтегральних мікромеханічних реле і пристроїв на їх основі: силових перемикачів, схем пам'яті, сенсорних датчиків, систем обробки інформації та ін
 
2551063.
Up!